[发明专利]一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法无效
| 申请号： | 201110265237.9 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446718A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 半导体器件 载流子 注入 损伤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，在一硅基板上形成一晶体管，其特征在于，分别对晶体管的漏端和源端进行环状注入，使得注入过程中漏端注入与垂直晶体管表面方向的夹角大于源端注入与晶体管表面垂直方向的夹角。
2.根据权利要求1所述的减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，其特征在于，垂直于晶体管表面的方向为y方向，使得对晶体管的漏端和源端进行环状注入过程中，注入方向与y方向的夹角不同，进行漏端注入的注入方向与y方向的夹角大于源端注入的注入方向与y方向的夹角。
3.根据权利要求1所述的减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，其特征在于，所述晶体管即可以采用PMOS管，也可以采用NMOS管。
4.根据权利要求1所述的减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，其特征在于，环状注入所采用的离子为与源漏掺杂反型的离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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