[发明专利]脱盐系统和方法

权利要求书

1.一种脱盐系统，包括：

可接收第一输入流体来移除该流体内二氧化硅的二氧化硅移除装置，包括：

第一和第二电极；

复数片可成对的离子交换膜，其设置在所述第一和第二电极间并形成复数个交替设置的第一和第二通道；

复数个隔网装置，其设置在相邻的每两片离子交换膜之间及第一和第二电极与各自相邻的离子交换膜之间；及

其中，每一对离子交换膜中的第一元件均为阴离子交换膜，每一对离子交换膜中与其第一元件成对的第二元件可为阴离子交换膜、单价选择性阳离子交换膜和双极性离子交换膜中之一，其中第一元件和第二元件在所述复数片可成对的离子交换膜中交替设置。

2.如权利要求1所述的脱盐系统，其中所述二氧化硅移除装置可进一步接收第二输入流体以带出从所述第一输入流体移除的离子。

3.如权利要求2所述的脱盐系统，其中所述复数片可成对的离子交换膜中的每一片均为阴离子交换膜。

4.如权利要求2所述的脱盐系统，其进一步包括有与所述二氧化硅移除装置流体相通的离子调整单元，该离子调整单元可用来调整所述第二输入流体中阴离子的浓度。

5.如权利要求4所述的脱盐系统，其进一步包括有与所述二氧化硅移除装置流体相通的预处理单元，该预处理单元可用来至少部分移除流体中的多价阳离子以产生所述第一输入流体。

6.如权利要求5所述的脱盐系统，其中所述预处理单元包含倒极电渗析装置。

7.如权利要求1所述的脱盐系统，其进一步包括有与所述二氧化硅移除装置流体相通的pH调整单元，该pH调整单元可用来调整所述第一输入流体的pH值。

8.一种脱盐系统，包括：

二氧化硅移除装置，包括：

第一和第二电极；

复数片可成对的阴离子交换膜，其设置在所述第一和第二电极间并形成复数个交替设置的第一和第二通道；及

复数个隔网装置，其设置在相邻的每两片阴离子交换膜之间及第一和第二电极与各自相邻的阴离子交换膜之间。

9.如权利要求8所述的脱盐系统，其中所述二氧化硅移除装置通过所述第一和第二通道分别来接收第一输入流体以移除该流体内的二氧化硅及接收第二输入流体以带出从所述第一输入流体中移除的二氧化硅。

10.如权利要求9所述的脱盐系统，其进一步包括有与所述二氧化硅移除装置流体相通的pH调整单元，该pH调整单元可用来调整所述第一输入流体的pH值。

11.如权利要求8所述的脱盐系统，其进一步包括有与所述二氧化硅移除装置流体相通的离子调整单元，该离子调整单元可用来调整所述第二输入流体中阴离子的浓度。

12.一种用于从流体中移除二氧化硅的方法，包括：

输入第一输入流体到由二氧化硅移除装置中成对的离子交换膜形成的第一通道中进行二氧化硅移除；

输入第二输入流体到由所述二氧化硅移除装置中所述成对的离子交换膜形成的第二通道中以把从所述第一输入流体中移除的二氧化硅带出所述二氧化硅移除装置；及

其中，每一对离子交换膜中的第一元件均为阴离子交换膜，每一对离子交换膜中与其第一元件成对的第二元件可为阴离子交换膜、单价选择性阳离子交换膜和双极性离子交换膜中之一，其中第一元件和第二元件在所述复数片可成对的离子交换膜中交替设置。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述二氧化硅移除装置包括：

第一和第二电极；

复数片所述成对的离子交换膜，其设置在所述第一和第二电极间并形成复数个交替设置的所述第一和第二通道；及

复数个隔网装置，其设置在所述相邻的每两片离子交换膜之间及第一和第二电极与各自相邻的离子交换膜之间。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述复数片可成对的离子交换膜中的每一片均为阴离子交换膜。

15.如权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述第二输入流体进入所述二氧化硅移除装置前增加所述第二输入流体内的阴离子的浓度。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述增加所述第二输入流体内的阴离子的浓度通过添加含氯化钠的溶液的方式实现。