[发明专利]一种降低接触孔电阻的接触孔结构形成方法

权利要求书

1.一种降低接触电阻的接触孔结构形成方法，其特征在于，包括以下的步骤：

步骤S1：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成有接触有源区的金属硅化物，在所述硅衬底上从下至上依次沉积有刻蚀阻挡层、氧化物层、阻挡层、低介电常数介质层以及低介电常数覆盖层，一沟槽在竖直方向上贯穿低介电常数覆盖层、低介电常数介质层和阻挡层，一接触孔在竖直方向上贯穿氧化物层和刻蚀阻挡层，且接触孔位于沟槽的下方；

步骤S2：在氧化物层之上以及沟槽和接触孔的内壁和底部生长一层接触孔阻挡层，并生长金属钨，对所淀积的接触孔阻挡层和金属钨进行化学机械研磨工艺，去除部分金属钨和接触孔阻挡层，暴露出低介电常数覆盖层，并使得金属钨的上表面与低介电常数覆盖层的上表面保持水平；

步骤S3：对剩余的金属钨和接触孔阻挡层进行湿法刻蚀，去除沟槽内以及接触孔上部的金属钨和接触孔阻挡层，形成钨栓；

步骤S4：在低介电常数覆盖层之上、沟槽和接触孔上部的侧壁和底部以及钨栓和接触孔阻挡层之上生长一层铜阻挡层，并采用电化学镀ECP工艺在铜阻挡层之上以及生长有铜阻挡层的沟槽和接触孔的上部生长金属铜；

步骤S5：对金属铜和铜阻挡层进行化学机械研磨工艺，暴露出低介电常数介质层，使得金属铜的上表面与低介电常数介质层的上表面保持水平。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，构成阻挡层的材料为SiCN。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，构成低介电常数覆盖层的材料为SiO₂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，构成接触孔阻挡层的材料为Ti或者TiN或两种材料的组合。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，构成铜阻挡层的材料为Ta或者TaN或两种材料的组合。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中，采用溶液进行湿法刻蚀。