[发明专利]一种新型晶边检测仪稳定性的监控方法

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体检测工具的稳定性进行测试的方法，具体而言，涉及一种新型晶边检测仪稳定性的监控方法。

背景技术

随着集成电路工艺的发展和晶圆硅片材料尺寸的不断变大，工厂对晶圆边缘的缺陷情况越来越注重。利用CV300R检测机台对晶圆边缘进行缺陷检测是一种快速有效的工艺步骤品质监控方法。因此，保证检测机台自身稳定性和精确性显得至关重要。

目前CV300R采用的自身检测方法是通过使用与机台匹配的标准片，该标准片的正面、侧面和背面均包含一定数目的颗粒，并且在晶圆表面是无法移动的。机台通过日常检测获得三个面1um大小的颗粒总数目,将测量得到的1um 大小的颗粒数值比上1um 大小的颗粒基准数目，其比值结果在（90%，110%）之间时表示机台符合运行标准，机台可以正常使用。

但是，业内CV300R采用的自身检测方法过于简单，无法实际反映机台自身的稳定性和精确性。具体而言，存在如下两个问题：

第一，在这种检测方法下，当机台稳定性有问题造成某个面的颗粒数目被遗漏了一些或者是有增加一些未知缺陷，其单面比值在（90%，110%）之外，但是三个面的比值仍旧在默认范围之内，那么机台问题依旧无法体现出来；

第二，该检测方法无法真实反映出机台对不同尺寸和类型缺陷的检测能力。

因此，提供一种能够有效并且准确地检测晶边检测仪稳定性的方法就显得尤为重要了。

发明内容

本发明的目的是避免现有技术中机台自检无法完全真实反映机台性能的缺陷。

本发明公开一种新型晶边检测仪稳定性的监控方法，用于确定所述晶片检测仪是否能够正常工作，其中，包括如下步骤：

提供一成品晶片作为基准片，所述基准片的正面、背面及其圆周侧面上均有多个不同尺寸、类型的缺陷；

分别制作多张所述基准片的正面、背面及其圆周侧面的缺陷扫描图；

分别制作正面原始图、背面原始图以及圆周侧面原始图，所述正面原始图上包括部分所述基准片正面陷扫描图上的缺陷，所述背面原始图上包括部分所述基准片背面陷扫描图上的缺陷，所述圆周侧面原始图上包括部分所述基准片圆周侧面陷扫描图上的缺陷；

进行日常检测，将日常扫描图与原始图叠图，将具有相同坐标的缺陷汇总求和，将增加的缺陷汇总求和；

分别对晶片的正面、背面及其圆周侧面进行的捕获率和失败率计算，若捕获率在90%~110%之间且失败率不大于10%，则仪器合格结束监控；

若捕获率低于90%且失败率大于10%，则停机检查。

上述的方法，其中，所述分别制作多张所述基准片的正面、背面及其圆周侧面的缺陷扫描图的步骤中，还包括如下步骤：

分别扫描所述基准片的正面、背面及其圆周侧面若干次；

每扫描一次所述基准片的正面形成一张相应的正面缺陷扫描图；

每扫描一次所述基准片的背面形成一张相应的背面缺陷扫描图；

每扫描一次所述基准片的圆周侧面形成一张相应的圆周侧面缺陷扫描图。

上述的方法，其中，

所述正面原始图上具有多个第一缺陷，所述第一缺陷出现在多张正面缺陷扫描图的同一坐标位置的次数超过第一阈值；

所述背面原始图上具有多个第二缺陷，所述第二缺陷出现在多张背面缺陷扫描图的同一坐标位置的次数超过第二阈值；

所述背面原始图上具有多个第三缺陷，所述第三缺陷出现在多张背面缺陷扫描图的同一坐标位置的次数超过第三阈值。

上述的方法，其中，分别制作10张所述基准片的正面、背面及其圆周侧面的缺陷扫描图。

上述的方法，其中，所述第一阈值、第二阈值和第三阈值均为8。

上述的方法，其中，所述基准片的正面、背面和圆周侧面上均具有的缺陷的个数取值范围均在20颗至2000颗之间。

上述的方法，其中，所述基准片上缺陷的尺寸值范围为0.5um至5um。

本发明原理是选取一片合适的成品晶片，该片具有一定数目的不同类型和尺寸的缺陷固定在表面,并且该片不再做其它工艺流程，作为以后该机台检测的新基准片。在日常检测时将三个面的扫描图分别与成品晶片转换成的基准片原始图进行叠图,将叠到的具有相同坐标位置的缺陷的数目作为计算捕获率的值，将没叠到的缺陷的数目作为计算失败率的值。

通过三个面的捕获率和失败率这六个值可以更加直观的检测到机台在不同位面缺陷收集信号的能力以及机台的稳定性和精确性。

 

附图说明