[发明专利]一种基于体电场调制的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201110265578.6 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102306659A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 胡佳贤;韩雁;张世峰;张斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电场 调制 ldmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于体电场调制的LDMOS器件，包括第一导电类型衬底层和设于第一导电类型衬底上的第二导电类型漂移层；其特征在于：
所述的第一导电类型衬底层内设有浮空区，所述的浮空区由若干第一导电类型浮空层和若干第二导电类型浮空层在水平方向上交替叠加而成。
2.根据权利要求1所述的基于体电场调制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一导电类型衬底层的掺杂浓度为1×1013～1×1022atom/cm3。
3.根据权利要求1所述的基于体电场调制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第二导电类型漂移层的掺杂浓度为1×1013～1×1020atom/cm3。
4.根据权利要求1所述的基于体电场调制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一导电类型浮空层的掺杂浓度为1×1014～1×1021atom/cm3。
5.根据权利要求1所述的基于体电场调制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第二导电类型浮空层的掺杂浓度为1×1014～1×1021atom/cm3。
6.根据权利要求1所述的基于体电场调制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一导电类型衬底层的长度为0.1～400μm，厚度为0.1～1000μm。
7.根据权利要求1所述的基于体电场调制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一导电类型浮空层或第二导电类型浮空层的长度为0.1～1000μm，厚度为0.1～200μm。
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