[发明专利]USB光学薄卡结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种USB光学薄卡结构，尤其涉及一种卡片结构。

背景技术

随着多媒体影音设备的普及，例如数码相机、MP3播放机、USB随身碟、数码录像机、小笔电、平板计算机(Tablet PC)、智能型手机及未来云端运算(Cloud Computing)等，大容量记忆卡的需求逐年显现，但也反应出现有记忆卡传输速度的不足，亟待改善。

对于内部设置有多电子零件(未图标)的USB规格薄型记忆卡而言(例如：美国专利案第7,440,287号)，由于板上式连接芯片(Chip On Board，COB)装置已内建了相当多的电子零件、芯片及焊接点，因此当进行一板上式连接芯片装置与一连接器的焊接作业时，其间所产生的热量，将会造成板上式连接芯片装置上已黏着的电子零件、芯片及焊接点的再次加热，可能因而造成其中电子零件、芯片的移位或损坏。

市面上有许多的卡片型记忆装置或产品，例如：microSD、薄型USB记忆卡等，多采用了半导体工艺来制作，这些卡片型记忆装置或产品所具有平面型金属垫片是可采用一体成型方式来生产，但非平面型金属片，例如：以冲压制成的金属簧片或弹片，则无法采用一体成型方式来生产，使得生产步骤变得复杂。

近来英特尔开发者论坛(Intel Developer Forum)展示了硅光学联机(Silicon Photonics Link)技术，数据传输速度可从USB 3.0的4.8G bps提升到10G bps，甚至未来达到1TB bps，这正解决了前述大容量储存装置所面临传输速度不足的问题。

且近几年来也由于半导体激光、光放大器及光滤波器等光元件技术日趋成熟，使得高密度分波多任务(Dense Wavelength Division Multiplexing，DWDM)技术蓬勃发展，并可提供大容量以及多样化的宽带服务。在现有的光纤通讯架构下，可将传输频宽提升至16、32、64倍，更甚至可到128倍。

Silicon Photonics Link(Siliconization DWDM)则是舍弃使用昂贵且制造难度高的材质，改用低成本且易制造的Si芯片所打造的光束，以实现持续开发让光纤传递信息的新技术愿景。目前虽已有电信以及其它应用采用激光传送信息，但目前的技术过于昂贵且体积庞大，不适合用在PC上。Intel混合硅晶激光的50G bps硅光链路，就“硅化”光子(siliconizing photonics)的长远愿景而言，确实是一项重大的研究成果，替未来计算机、服务器与家电的内部及对外联机，带来高频宽、低成本的光通讯技术。

因此如果硅光学联机技术能应用在薄卡(Thin Card)上，则将具有10G bps以上或更高的传输速度。

发明内容

本发明是一种USB光学薄卡的结构，是一种具有光信号接收、传送模块与连接器(Connector)和调整脚或洞(Alignment Pin/Hole)在同一块电路上的USB光学薄卡，利用光学数据传输速度较快的特性，来达到超越USB 3.0传输速度，进而达到10G bps或更快的传输速度。

因此将光传输技术使用在薄卡上，将可减少传收数据的时间与电力的消耗，甚至具有每秒10G bps的传输速度，故本发明是一款具有光信号传送与接收规格的薄卡，以克服USB 3.0/2.0薄卡在传输上的潛在限制，本发明对此提出的一个解决方案。

为了实现上述目的，本发明提供一种USB光学薄卡结构，其包括有：

一基板，具有一封装层；一座体，设置于该基板上，并与该基板形成至少一开口及一空间，再包括有；多个第一接触部件，设置于座体上一位置；及多个第二接触部件，设置于座体上另一位置；一光学传输模块，设置于该座体与该基板所形成的该空间，并利用该座体与该基板所形成的该开口作为光学数据的传输路径；一微控制单元，用以处理及控制USB光学薄卡上所有信号数据与指令；以及一功能单元，至少包括用以提供储存、通讯及输出入的任一功能。

本发明的功效主要在于基于USB 3.0/2.0薄卡之架构上，增加了光学传输模块，不仅不增加其体积，从而却能提升其传输速度，符合当今数据传输的需求。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A为本发明USB光学薄卡的基板结构一实施例示意图；

图1B为本发明USB光学薄卡的座体结构一实施例示意图；

图1C为本发明USB光学薄卡将基板与座体结合后的结构一实施例示意图；