[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

对于形成有半导体集成电路的图案的基板，将对用于退火而照射的光的吸收率为规定以下的区域定义为疏图案区域，并在所述疏图案区域上局部形成用于提高光吸收率的薄膜；

对形成有所述半导体集成电路的图案和所述薄膜的所述基板照射光以进行退火。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，采用氙气灯作为所述照射光的光源。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜为硅氮化膜，当所述疏图案区域不包括栅极图案时，所述薄膜的膜厚设定为4nm至20nm之间。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜为硅氮化膜，当所述疏图案区域包括栅极图案时，所述薄膜的膜厚设定为4nm至18nm之间。

5.如权利要求3或4所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述基板的表面和所述薄膜之间插入硅氧化膜。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，着眼于作为所述半导体集成电路的图案的栅极图案，将该栅极图案相互之间的最接近距离为0.5μm以下的区域定义为密图案区域，且将形成有元件分离绝缘膜的区域定义为密图案区域，除此以外的区域定义为疏图案区域。