[发明专利]制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制备半导体器件的硅化物掩模层的方法，尤其涉及一种制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法。

背景技术

硅化物掩模层主要是用做硅化物自对准生长，其厚度主要以阻止硅化物的渗透为下限，以栅极最小间隔不被掩模层填实为上限。

不过一些特殊器件工艺，如一次可编程(OTP)器件，会借助硅化物掩模层来保留住写入的离子，而且保留的时间和掩模层的厚度成正比例的关系。

在半导体器件具有不同结深的情况下，为了达到一定的规格，会需要增加掩模层的厚度并超过上限，以达到保留写入的离子足够时间的目的。但这种情况下会造成部分区域的硅化物因为掩模层太厚且无法被打开，从而无法形成硅化物而失效。

因此，本领域的技术人员致力于开发一种制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的是提供了一种制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法。

本发明的一种制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法，包括以下步骤：

步骤1，在半导体器件上确定需借助硅化物掩模层来保留住写入的离子的两个区域，并根据所需留住注入离子的时间确定所述两个区域的不同厚度要求；

步骤2，在半导体器件上形成第一层硅化物掩模层；

步骤3，在第一层硅化物掩模层上继续形成第二层硅化物掩模层；

步骤4，通过蚀刻去除部分区域的第二层硅化物掩模层，使得剩下的第一层硅化物掩模层以及第一层硅化物掩模层和第二层硅化物掩模层的组合满足所述两个区域的不同厚度要求。

在本发明的一个较佳实施例中，所述第一层硅化物掩模层由氧化硅和氮化硅组成。

在本发明的另一个较佳实施例中，所述第二层硅化物掩模层由氧化硅组成。

在本发明的另一个较佳实施例中，所述步骤3包括在所述第一层硅化物掩模层上形成衬垫，在衬垫上形成第二层硅化物掩模层。

在本发明的另一个较佳实施例中，所述步骤4中还包括借助掩模板遮盖所需区域，通过蚀刻去除其他区域的第二层硅化物掩模层。

本发明形成了不同厚度和结构的硅化物掩模层，以达到满足不同应用的需求。多种硅化物掩模层的并存为特殊工艺的集成提供了更为广阔的应用空间。并且本发明易于操作，成本低廉。

附图说明

图1是本发明的一个实施例的完成第一层硅化物掩模层的结构示意图；

图2是本发明的一个实施例的完成衬垫的结构示意图；

图3是本发明的一个实施例的完成第二层硅化物掩模层的结构示意图；

图4是本发明的一个实施例的完成蚀刻的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明做出详细的阐释。

在本发明的一个实施例中，一种制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法，包括以下步骤：

步骤1，在半导体器件上确定需借助硅化物掩模层来保留住写入的离子的两个区域，并根据所需留住注入离子的时间确定所述两个区域的不同厚度要求；

步骤2，在半导体器件上形成第一层硅化物掩模层；

步骤3，在第一层硅化物掩模层上继续形成第二层硅化物掩模层；

步骤4，通过蚀刻去除部分区域的第二层硅化物掩模层，使得剩下的第一层硅化物掩模层以及第一层硅化物掩模层和第二层硅化物掩模层的组合满足所述两个区域的不同厚度要求。

本发明的制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法通过形成了不同厚度的硅化物掩模层以满足不同区域的厚度要求，为特殊工艺的集成提供了更为广阔的应用空间。并且易于操作，成本低廉。

如图1中所示，在本发明的实施例的步骤1中，在半导体器件上确定需借助硅化物掩模层来保留住写入的离子的两个区域1和2，并根据所需留住注入离子的时间确定所述两个区域的不同厚度要求。在本实施例中，1区域所需的掩模层的厚度大于区域2所需的掩模层的厚度。

随后如图1中所示，在半导体器件上形成第一层硅化物掩模层3。

如图3所示，在第一层硅化物掩模层3上继续形成第二层硅化物掩模层5。