[发明专利]具有沟槽式栅极结构的功率组件及其制作方法

权利要求书

1.具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于包括：

基底，包第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；

主体区，具有第一导电型态，设置在所述基底中；

基极区，具有第二导电型态，设置在所述主体区中；

阴极区，具有所述第一导电型态，设置在所述基极区中；

阳极区，具有所述第二导电型态，设置在所述基底中，其中所述阳极区接近所述第二表面；

一沟槽，设置在所述基底中并且所述沟槽由所述第一表面延伸至所述主体区，所述阴极区环绕所述沟槽，其特征在于所述沟槽具有一类波浪形侧壁；

栅极结构，设置在所述沟槽中；以及

累积区，沿着所述类波浪形侧壁设置于所述主体区中。

2.如权利要求1所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，主体区另包含：

漂移区，具有所述第一导电型态；以及

缓冲区，具有所述第一导电型态并且设置于漂移区下方。

3.如权利要求2所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，类波浪形侧壁设置在漂移区中。

4.如权利要求1所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，沟槽另包含一垂直侧壁接触基极区和阴极区。

5.如权利要求1所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，类波浪形侧壁包括第一曲率。

6.如权利要求5所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，类波浪形侧壁包含第二曲率。

7.如权利要求6所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，第一曲率和第二曲率不相同。

8.如权利要求1所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，类波浪形侧壁包括两个曲率。

9.如权利要求1所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，更包括一个欧姆接触区设置在基极区中并且环绕阴极，其特徵在于欧姆接触区具有第二导电型态。

10.一种具有沟槽式栅极结构的功率组件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，包含主体区，所述主体区具有第一导电型态，其中所述基底具有第一表面和第二表面，第二表面和所述第一表面相对；

形成第一沟槽在主体区中，其中第一沟槽具有第一开口；

形成一掩膜层在所述第一沟槽的侧壁；

透过掩膜层作为掩膜，形成一个具有一个第二开口的第二沟槽，所述第二沟槽系由所述第一沟槽一侧壁的一底部延伸，其中所述第二开口较所述第一开口小；以及

移除所述掩膜层。

11.如权利要求10所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件的制作方法，其特征在于，第一沟槽和所述第二沟槽组成一复合式沟槽，复合式沟槽具有一类波浪形侧壁。

12.如权利要求11所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件的制作方法，其特征在于，另包含：

移除掩膜层后，形成一栅极结构在复合式沟槽中；

形成一基极区于所述主体区的上部，其中基极区具有第二导电型态；以及

形成阴极区在基极区，阴极区具有第一导电型态。

13.如权利要求12所述的具有沟槽式栅极结构的功率组件的制作方法，其特征在于，另包含：

形成阴极区后，更形成一个欧姆接触区在基极区中，且欧姆接触区与阴极区相邻。

14.具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于，包含：

基底，包含第一表面和第二表面与所述第一表面相对；

主体区，具有第一导电型态设置于所述基底中；

基极区，具有第二导电型态设置于所述主体区中；

阴极区，具有所述第一导电型态设置于所述基极区中；

阳极区，具有所述第二导电型态设置于所述基底中，并且阳极区接近所述二表面；

一复合式沟槽，设置于所述基底中并且所述复合式沟槽由所述第一表面延伸至所述主体区，所述阴极区环绕所述复合式沟槽，其中所述复合式沟槽包含一第一沟槽和一第二沟槽，所述第二沟槽由所述第一沟槽的一侧壁的一底部延伸，并且所述复合式沟槽包含一类波浪形侧壁；

栅极结构，设置于所述复合式沟槽中；以及

一累积区，沿着所述类波浪形侧壁设置于所述主体区中。