[发明专利]亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法有效
| 申请号： | 201110267096.4 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000514A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;严玮;程望阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 常压 化学 沉积 设备 气化 堵塞 检测 方法 | ||
1.一种亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)记录下腔体的基准压力；
(2)设定载气流量为固定值，并设定腔体的压力为固定值，待载气流量稳定后，记录下节流阀的位置A；
(3)将节流阀所开的位置设定在位置A上，保持载气流量为步骤(2)设定的固定值，此时腔体的压力必须在步骤(2)设定的固定值附近；
(4)分别流入TEOS液体流量，并记录下腔体的压力；
(5)计算出各个TEOS流量下的腔体压力和腔体基准压力的差值；
(6)绘制TEOS流量和腔体压差的变化示意图，正常的TEOS流量和腔体的压差变化为一条直线且线性度比较好，而典型的不正常的变化线性度较低，由此可判断出不正常情况下的气化阀堵塞。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述腔体的基准压力为150～400毫托。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述设定载气流量为3000毫升/分钟，并设定腔体的压力为3托。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述载气包含氦气、氮气以及氦气和氮气的混合气体，所述氦气流量为100～10000毫升/分钟，所述氮气流量为100～10000毫升/分钟。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述腔体的压力必须在步骤(2)设定的固定值附近，其允许的误差范围为+/-0.1托。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述TEOS液体流量为100～1500毫克/分钟。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述腔体压力和腔体基准压力的差值为0～100托。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述TEOS流量X和腔体压力差Y之间的经验公式为Y＝0.0019X+2.9788。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
