[发明专利]一种用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置

权利要求书

1.一种用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，该装置包括IGZO-TFT驱动单元以及阵列制备所用到的掩模板，数个微胶囊电泳显示单元；其特征在于：该掩模板包含三个功能区，分别为：对准标记区、单个器件区、阵列区域。

2.如权利要求1所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，所述对准标记区在掩模板的两个边缘，每个边缘采用多个四方块图形作为标记。

3.如权利要求2所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，每个边缘的该四方块图形采用从两端到中间逐渐增大的四方块图形，形成了两端四方块小，中间四方块大的结构。

4.如权利要求1所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，所述单个器件区分两区，第一区域位于掩模板最上端两排，共计8×2个单个TFT。

5.如权利要求4所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，所述16个TFT根据沟道宽度和长度的不同分为四组A、B、C、D，分别对应的沟道宽长分别是900μm和60μm、1200μm和80μm、1200μm和60μm、900μm和80μm。

6.如权利要求5所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，在掩模板的左下角区域有3×2单个TFT，用于驱动微胶囊显示单元，其沟道的宽长分别是1200μm和60μm，该区域像素电极的面积比常规的面积大，通常为N×N，其中2≤N≤4，单位为毫米(mm)。

7.如权利要求1所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，阵列区域包括至少两组阵列，每个阵列可根据实际的需要进行陈列数量选择。

8.如权利要求7所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，所述阵列中其中一个为8×6阵列；该8×6阵列像素的显示面积为28mm×16mm，单个像素的面积为3.5mm×3mm。

9.如权利要求8所述用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置，其特征在于，在8×6阵列中单个TFT像素沟道的宽长为800μm和60μm，扫描线的宽度为100μm，信号线的宽度为150μm，TFT源电极的尺寸为3mm×3mm，同时也作为TFT的像素电极。