[发明专利]半导体元件的冷却结构无效
申请号: | 201110267245.7 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN102403288A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 田畑光晴 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 冷却 结构 | ||
1.一种半导体元件的冷却结构,其特征在于,具有:
基底板,在一个主面直接地或间接地接合有半导体元件;
对置板,主面以与所述基底板的另一个主面隔开间隔地对置的方式配置,构成在与所述基底板之间形成的冷却介质流道的壁部的一部分;以及
两个流道侧壁部,以将所述基底板与所述对置板连结的方式彼此隔开间隔地对置配置,并且成为所述冷却介质流道的壁部的一部分,
所述基底板在所述另一个主面具有朝向所述对置板的所述主面突出的多个散热用突出部,
所述基底板的所述另一个主面与所述对置板的所述主面通过所述两个流道侧壁部而连结,由此,形成在彼此之间具有所述多个散热用突出部所在的所述冷却介质流道的一部分即耐压区域的所述冷却介质流道的流入口和流出口,
所述冷却介质流道以如下方式形成:在连结所述流入口和所述流出口的方向上,在所述耐压区域的中央部的所述基底板上所施加的静压比在所述耐压区域的端部的所述基底板上所施加的静压低。
2.如权利要求1所述的半导体元件的冷却结构,其特征在于,
所述两个流道侧壁部的彼此对置的对置面彼此之间的距离随着从所述耐压区域的所述端部朝向所述中央部而变短。
3.如权利要求1所述的半导体元件的冷却结构,其特征在于,
所述多个散热用突出部分别具有柱状的形状,
在所述多个散热用突出部中,位于所述耐压区域的所述中央部的散热用突出部比位于所述耐压区域的所述端部的散热用突出部粗。
4.如权利要求1所述的半导体元件的冷却结构,其特征在于,
所述多个散热用突出部分别具备具有长边方向的板状的形状,并且,以连结所述流入口与所述流出口的方向和该长边方向大致一致的方式配置,
在所述多个散热用突出部中,相邻的散热用突出部彼此的间隔随着从所述耐压区域的所述端部朝向所述中央部而变窄。
5.如权利要求1所述的半导体元件的冷却结构,其特征在于,
所述多个散热用突出部分别具有柱状的形状,
在所述多个散热用突出部中,位于所述耐压区域的所述端部的散热用突出部规则地配置,并且,位于所述耐压区域的所述中央部的散热用突出部不规则地配置。
6.如权利要求1所述的半导体元件的冷却结构,其特征在于,
所述多个散热用突出部分别具有柱状的形状,
在所述多个散热用突出部中,位于所述耐压区域的所述中央部的散热用突出部具有在所述冷却介质流道中流动的冷却介质的形状阻力比位于所述耐压区域的所述端部的散热用突出部大的表面形状。
7.如权利要求1所述的半导体元件的冷却结构,其特征在于,
所述多个散热用突出部分别具有柱状的形状,
在所述多个散热用突出部中,位于所述耐压区域的所述中央部的散热用突出部的突出长度比位于所述耐压区域的所述端部的散热用突出部的突出长度长。
8.如权利要求1所述的半导体元件的冷却结构,其特征在于,
所述基底板的所述另一个主面与所述对置板的所述主面之间的距离随着从所述耐压区域的所述端部朝向所述中央部而变短。
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