[发明专利]内嵌电容式触控面板及其制备方法有效
申请号: | 201110267828.X | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN102654664A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 黎蔚;陈东 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G06F3/044 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 式触控 面板 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及触控面板技术领域,尤其涉及一种内嵌电容式触控面板及其制备方法。
背景技术
目前,触控面板技术被广泛应用于液晶显示器,以制作具有可以同时显示影像以及输入功能的显示器,例如电阻式、电容式以及波动式(如音波、红外线与雷射)等。电容式触控面板分为:外挂电容式触控面板和内嵌电容式触控面板,其中,外挂电容式触控面板是将触控面板与液晶显示器直接进行上下的叠合,内嵌电容式触控面板是将触控面板融合在液晶显示器的内部。
外挂电容式触控液晶显示器,由于必须在液晶显示器上叠合一个触控面板,使得液晶显示器的厚度和重量大幅地增加,不符合现在市场对于液晶显示器轻薄短小的要求,而且由于光穿透触控面板的层数众多,致使光穿透时,光量遭到吸收,光穿透率损失大。
在传统的内嵌电容式触控液晶显示器中,触控电路设计在阵列基板上,这种设计会使内置的触控感应电极与液晶显示器屏幕之间隔有其他材料,导致触控感应电极与液晶显示器屏幕之间的距离增大,进而影响到触控操作产生的电容变化,使触控感应性能降低,而且,由于将触控电路内置在液晶显示器中,增加了液晶显示器的制作工序,使得生产内嵌电容式触控液晶显示器的成本较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种内嵌电容式触控面板及其制备方法,无需增加原有的液晶显示器制作工序即可完成电容式触控面板的设计,降低了内嵌电容式触控液晶显示器的成本,并且提高了触控感应性能。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种内嵌电容式触控面板,包括:触控电路,所述触控电路包括:设置在阵列基板上的感应单元和放大单元;
所述感应单元与所述放大单元连接,所述感应单元与阵列基板上显示像素结构中的栅线连接;
所述显示像素结构中的栅线为感应单元提供开启电压,感应单元开启后,感应单元中生成一个电压,触控操作使所述感应单元中的电压发生变化,所述放大单元将所述感应单元中电压的变化放大并将放大后的电压变化导出。
所述感应单元包括:
与显示像素结构中的薄膜场效应晶体管同层设置的第一薄膜场效应晶体管、与显示像素结构中的数据线同层设置的感应电容和预设电压线;
所述第一薄膜场效应晶体管的栅极与显示像素结构中的栅线连接,所述第一薄膜场效应晶体管的源极与所述预设电压线连接,所述第一薄膜场效应晶体管的漏极与感应电容上极板连接;
所述显示像素结构中的栅线为所述第一薄膜场效应晶体管提供开启电压,所述预设电压线为所述第一薄膜场效应晶体管提供充电电压,所述第一薄膜场效应晶体管开启后为所述感应电容充电,使感应电容上产生电压,触控操作使所述感应电容上的电压发生变化。
所述放大单元包括:
与显示像素结构中的薄膜场效应晶体管同层设置的第二薄膜场效应晶体管、与显示像素结构中的数据线同层设置的电源线和触控数据线;
所述第二薄膜场效应晶体管的栅极与所述感应电容下极板连接,所述第二薄膜场效应晶体管的源极与所述电源线连接,所述第二薄膜场效应晶体管的漏极与所述触控数据线连接;
所述电源线为所述第二薄膜场效应晶体管提供电源,所述第二薄膜场效应晶体管将所述感应电容上电压的变化放大,所述触控数据线将所述放大后的电压变化导出。
还包括:导电屏蔽物,所述导电屏蔽物设置在感应单元中第一薄膜场效应晶体管的源极上。
所述导电屏蔽物的材质为导电聚苯乙烯。
一种内嵌电容式触控面板的制备方法,包括:
形成包括显示像素结构和触控电路的阵列基板,所述触控电路包括:相互连接的感应单元电路和放大单元电路,所述感应单元电路与显示像素结构中的栅线连接;
形成彩膜基板;
将所述彩膜基板和所述阵列基板封装成盒,将液晶材料注入盒中。
所述感应单元电路包括:第一薄膜场效应晶体管、感应电容和预设电压线;所述放大单元电路包括:第二薄膜场效应晶体管、触控数据线和电源线;所述显示像素结构包括:薄膜场效应晶体管、栅线、数据线和像素电极;
所述形成包括显示像素结构和触控电路的阵列基板,所述触控电路包括:相互连接的感应单元电路和放大单元电路,具体为:
在基板上形成栅线图形和栅极绝缘层图形,并同时形成第一薄膜场效应晶体管栅线图形和第二薄膜场效应晶体管栅线图形;
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