[发明专利]腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备

权利要求书

1.一种腔室装置，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；

气体分布板，所述气体分布板设在所述腔室内以将所述腔室分割为上腔室和下腔室，所述上腔室具有进气口且所述下腔室具有出气口，所述气体分布板上设有将所述上腔室和所述下腔室连通的多个分配孔；和

分布板衬板，所述分布板衬板设在所述腔室内且位于所述气体分布板下面，所述分布板衬板上设有多个通孔，所述分布板衬板的下表面上设有第一覆盖层，所述第一覆盖层由第一半导体材料制成。

2.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述分布板衬板的整个表面上均设有所述第一覆盖层。

3.根据权利要求2所述的腔室装置，其特征在于，所述分布板衬板由所述第一半导体材料形成，且所述分布板衬板与所述第一覆盖层一体形成。

4.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述分布板衬板设在所述气体分布板的下表面上且所述分布板衬板上的通孔与所述气体分布板上的所述分配孔一一对应。

5.根据权利要求4所述的腔室装置，其特征在于，所述通孔与所述分配孔的横截面尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述分布板衬板由陶瓷、不锈钢或铝制成，所述第一覆盖层为设在所述分布板衬板的下表面上的第一半导体材料薄膜。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的腔室装置，其特征在于，还包括腔室衬板，所述腔室衬板设在所述下腔室的内周壁上，所述腔室衬板暴露到所述腔室内的内表面上设有第二覆盖层，所述第二覆盖层由第二半导体材料制成。

8.根据权利要求7所述的腔室装置，其特征在于，所述腔室衬板的整个表面上均设有所述第二覆盖层。

9.根据权利要求7所述的腔室装置，其特征在于，所述第二覆盖层为设在所述腔室衬板的表面上的第二半导体材料薄膜。

10.根据权利要求8所述的腔室装置，其特征在于，所述腔室衬板由所述第二半导体材料形成，且所述腔室衬板与所述第二覆盖层一体形成。

11.根据权利要求7所述的腔室装置，其特征在于，所述分布板衬板和腔室衬板的边缘均被倒圆。

12.根据权利要求7所述的腔室装置，其特征在于，所述第二半导体材料选自多晶硅、III-V族化合物半导体材料，掺杂的III-V族化合物半导体材料、II-VI族化合物半导体材料、和掺杂的II-VI族化合物半导体材料中的一种或多种。

13.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述第一半导体材料选自多晶硅、III-V族化合物半导体材料，掺杂的III-V族化合物半导体材料、II-VI族化合物半导体材料、和掺杂的II-VI族化合物半导体材料中的一种或多种。

14.一种基片处理设备，其特征在于，包括：

腔室装置，所述腔室装置为根据权利要求1-13中任一项所述的腔室装置；

能量供给装置，所述能量供给装置所述腔室装置相连用于向所述腔室装置的腔室内供给能量；和

载板，所述载板设在所述腔室装置的下腔室内用于承载基片。

15.根据权利要求14所述的基片处理设备，其特征在于，所述能量供给装置通过加热、射频或微波方式将能量供给到所述腔室内。

16.根据权利要求14所述的基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备为化学气相沉积设备。