[发明专利]光提取结构、发光基板和图像显示装置的制造方法无效
申请号: | 201110267992.0 | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN102412107A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 北村伸;荒木和彦;山田修嗣;高松修 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J9/24 | 分类号: | H01J9/24;H01J29/89;H01J31/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提取 结构 发光 图像 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种光提取结构的形成方法,包括:
(a)将捕获层至少形成于由第一半透明材料制成的基板或膜上;
(b)将其中粒子已被分散到分散介质中的分散液施加到捕获层上,使分散介质挥发,并且将粒子的沉积层形成于捕获层上;
(c)将沉积层的最下层中的粒子嵌入捕获层中并捕获;
(d)去除未在捕获层中捕获的粒子;
(e)使用在捕获层中捕获的粒子作为掩模,去除捕获层和第一半透明材料的基板或膜的一部分,并且将多个凹部形成于第一半透明材料的基板或膜中;
(f)在步骤(e)之后去除粒子和捕获层;以及
(g)用其折射率与第一半透明材料的折射率不同的第二半透明材料嵌入在第一半透明材料的基板或膜中形成的所述多个凹部,
其中,在步骤(c)中在捕获层中捕获的粒子的粒子填充率对于二维最密充填等于93%或更大。
2.根据权利要求1的形成方法,其中,在步骤(a)中形成的捕获层是包含聚合物的层,构成在步骤(b)中施加的分散液中的粒子的材料的玻璃转变点或熔点被设为高于包含于捕获层中的聚合物的玻璃转变点或熔点,并且,通过将捕获层加热到等于或高于聚合物的玻璃转变点或熔点并且低于构成粒子的材料的玻璃转变点或熔点的温度,执行步骤(c)。
3.根据权利要求1的形成方法,其中,在步骤(a)和(b)之间,通过控制粒子和捕获层的表面电荷,在捕获层中捕获的粒子的粒子填充率对于二维最密充填被设为93%或更大。
4.根据权利要求3的形成方法,其中,粒子的表面电荷和捕获层的表面电荷被控制为负极性。
5.根据权利要求1至4中任一项的形成方法,其中,在步骤(b)中施加的分散液中的粒子的浓度在30~40重量%的范围内。
6.一种具有用于提取从发光层发射的光的光提取结构的发光基板的制造方法,其中,
通过根据权利要求1至5中任一项的光提取结构的形成方法来形成光提取结构。
7.一种具有用于提取从发光层发射的光的光提取结构的图像显示装置的制造方法,其中,
通过根据权利要求1至5中任一项的光提取结构的形成方法来形成光提取结构。
8.根据权利要求7的制造方法,其中,图像显示装置是场发射显示器。
9.根据权利要求7的制造方法,其中,图像显示装置是电致发光显示器。
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