[发明专利]基于Abbe矢量成像模型的光学邻近效应校正的优化方法

权利要求书

1.一种基于Abbe矢量成像模型的光学邻近效应校正的优化方法，其特征在于，具体步骤为：

步骤101、将掩膜图形M初始化为大小为N×N的目标图形

步骤102、设置初始掩膜图形M上开口部分的透射率为1，阻光区域的透射率为0；设定N×N的变量矩阵Ω：当M(x，y)＝1时，当M(x，y)＝0时，其中M(x，y)表示掩膜图形上各像素点的透射率；

步骤103、将目标函数D构造为目标图形与当前掩膜对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方，即其中为目标图形的像素值，Z(x，y)表示利用Abbe矢量成像模型计算当前掩膜对应的光刻胶中成像的像素值；

步骤104、计算目标函数D对于变量矩阵Ω的梯度矩阵

步骤105、利用最陡速降法更新变量矩阵Ω，其中s为预先设定优化步长，获取对应当前Ω的掩膜图形

步骤106、计算当前掩膜图形对应的目标函数值D；当D小于预定阈值或者更新变量矩阵Ω的次数达到预定上限值时，进入步骤107，否则返回步骤104；

步骤107，终止优化，并将当前掩膜图形确定为经过优化后的掩膜图形。

2.根据权利要求1所述基于Abbe矢量成像模型的光学邻近效应校正的优化方法，其特征在于，所述步骤103中利用Abbe矢量成像模型计算当前掩膜对应的光刻胶中成像的具体步骤为：

步骤201、将掩模图形M栅格化为N×N个子区域；

步骤202、根据部分相干光源的形状将光源面栅格化成多个点光源，用每一栅格区域中心点坐标(x_s，y_s)表示该栅格区域所对应的点光源坐标；

步骤203、针对单个点光源，利用其坐标(x_s，y_s)获取该点光源照明时对应晶片位置上的空气中成像I(α_s，β_s)；

步骤204、判断是否已经计算出所有点光源对应晶片位置上的空气中成像，若是，则进入步骤205，否则返回步骤203；

步骤205、根据阿贝Abbe方法，对各点光源对应的空气中成像I(α_s，β_s)进行叠加，获取部分相干光源照明时，晶片位置上的空气中成像I；

步骤206、基于光刻胶近似模型，根据空气中成像I计算掩膜对应的光刻胶中的成像。

3.根据权利要求2基于Abbe矢量成像模型的光学邻近效应校正的优化方法，其特征在于，所述步骤203中针对单个点光源利用其坐标(x_s，y_s)获取该点光源照明时对应晶片位置上的空气中成像I(α_s，β_s)的具体过程为：

设定光轴的方向为z轴，并依据左手坐标系原则以z轴建立全局坐标系(x，y，z)；

步骤301、根据点光源坐标(x_s，y_s)，计算点光源发出的光波在掩膜上N×N个子区域的近场分布E；其中，E为N×N的矢量矩阵，其每个元素均为一3×1的矢量，表示全局坐标系中掩模的衍射近场分布的3个分量；

步骤302、根据近场分布E获取光波在投影系统入瞳后方的电场分布其中，为N×N的矢量矩阵，其每个元素均为一3×1的矢量，表示全局坐标系中入瞳后方的电场分布的3个分量；

步骤303、设光波在投影系统中传播方向近似与光轴平行，进一步根据入瞳后方的电场分布获取投影系统出瞳前方的电场分布其中，出瞳前方的电场分布为N×N的矢量矩阵，其每个元素均为一3×1的矢量，表示全局坐标系中出瞳前方的电场分布的3个分量；

步骤304、根据投影系统出瞳前方的电场分布获取投影系统出瞳后方的电场分布

步骤305、利用沃尔夫Wolf光学成像理论，根据出瞳后方的电场分布获取晶片上的电场分布E^wafer，并根据E^wafer获取点光源对应晶片位置上空气中成像I(α_s，β_s)。