[发明专利]发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201110269169.3 申请日: 2011-09-13
公开(公告)号: CN103000782A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 罗杏芬 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L25/075
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片,其特征在于,所述发光二极管封装结构还包括一个形成于所述基板表面的挡墙结构,该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分,所述电极形成于所述基板表面,所述电极包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极,所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于挡墙结构的第一区域,所述第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部;第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于挡墙结构的第二区域,所述第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第三电极和第四电极之间电连接,将所述第一电极和第二电极分别作为输入和输出电极,从而使得所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片之间形成串联连接。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第三电极和第四电极之间电连接,将所述第一电极和第二电极作为输入电极,将所述第三电极和第四电极作为公共输出电极,使得所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片之间形成并联连接。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一电极和第二电极分别位于所述基板相对较长方向的两端,所述第三电极和第四电极位于所述第一电极和第二电极之间。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板包括上表面以及与所述上表面相对的下表面,所述第一电极、第二电极、第三电极及第四电极分别自所述基板的上表面延伸至所述下表面。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板的上表面还形成有反射杯,所述反射杯环绕所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和挡墙结构,所述挡墙结构的两端分别与该反射杯相连接,所述反射杯的内表面为反射面。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述挡墙结构朝向第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的表面为反射面,所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出的部分光线经过所述反射杯和所述挡墙结构反射出所述发光二极管封装结构。

8.如权利要求1至7项任一项所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括至少一个稳压装置,该稳压装置与所述第一发光二极管芯片或者第二发光二极管反向并联。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述稳压装置为稳压二极管且数量为二,所述稳压装置以覆晶的方式分别设于所述第一电极和第三电极及所述第二电极和第四电极之间。

10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述稳压装置由磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植的方式形成,该稳压装置分别位于所述第一电极和第三电极及所述第二电极和第四电极之间。

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