[发明专利]一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其具体作法是：

a、无氟前驱溶液制备：将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸钴，按钆∶钡∶铜∶钴的化学计量比1∶2∶3-X∶X，0.0003≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中，得前驱溶液；

b、无氟涂层胶体制备：在a步制得的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛，加入的聚乙烯醇缩丁醛与前驱溶液的质量比为2-8∶100，充分搅拌，得到涂层胶体；

c、涂敷及干燥：将b步制备的涂层胶体涂敷于基片上，在基片上形成薄膜，100-200℃下干燥，时间5-20分钟；

d、热分解处理与成相热处理：将干燥后的带薄膜基片进行热分解处理后再进行成相热处理，即得。

2.如权利要求1所述的一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其特征在于：所述d步的热分解处理的具体作法为：将c步干燥后的带薄膜基片置于管式炉中，在氩气气氛保护下，以1-5℃/min从室温升至100-150℃；然后向炉中通入露点为10-20℃的水蒸汽，同时通入氩气形成潮湿的氩气保护气氛，以0.25-1.5℃/min升温至450-500℃，保温0.5-2小时；随后再在干燥的氩气气氛中，自然冷却至室温。

3.如权利要求1所述的一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其特征在于：所述d步的成相热处理的具体作法为：将热分解处理后的基片，置于管式炉中通入干燥的氩气，将炉温以15-40℃/min快速升温至810-900℃，保温5-15分钟，对薄膜进行短时的高温热处理；再以1-15℃/min降温至760-800℃，保温1-3小时；然后在干燥的氩气保护气氛中，降温至350-500℃；最后将炉中气氛转变为干燥的氧气，保温1-5小时，然后冷却至室温。

4.如权利要求1所述的一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其特征在于：所述a步中的X的更佳取值范围为：0.0005≤X≤0.005。