[发明专利]一种石墨舟饱和处理工艺有效
| 申请号： | 201110270015.6 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102280396A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈跃;陈树同;张宗阳;刘亚新 | 申请（专利权）人： | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/205 |
| 代理公司： | 江阴市永兴专利事务所(普通合伙) 32240 | 代理人： | 达晓玲;詹世平 |
| 地址： | 214400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 饱和 处理 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：
对石墨舟进行清洗的步骤；
进行干燥的步骤；
在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；
进行工艺调试的步骤。
2.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述对石墨舟进行清洗的步骤中采用浓度为15%～20%的氢氟酸对石墨舟进行清洗。
3.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述干燥包括在烘干箱内进行4h～6h烘干的步骤。
4.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述饱和处理包括在真空条件下进行2～4次射频辉光的步骤。
5.根据权利要求4所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述饱和处理包括在真空条件下进行3次射频辉光的步骤。
6.根据权利要求4或5所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，每次辉光时间为2000s～2500s，相邻两次辉光时间间隔200～500s。
7.根据权利要求6所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述射频辉光的频射功率为4800W～5600W，饱和温度为450℃～480℃，氨气和硅烷的流量比为1000：9000，占空比为3：30。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
