[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器及AMOLED显示器制造领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)阵列基板及其制造方法。

背景技术

由于非晶硅本身自有的缺陷问题，如缺陷太多导致的开态电流低、迁移率低、稳定性差，使使它在很多领域收到了限制，为了弥补非晶硅本身缺陷，扩大在相关领域的应用，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)技术应运而生。

如图1、图2所示，现有技术中的低温多晶硅TFT阵列基板制造方法包括：

S101、在基板11上形成缓冲层12。

S102、通过第一次构图工艺处理，在缓冲层上形成多晶硅有源层图形。

S103、将无机材料沉积在多晶硅有源层图形的整个表面，形成第一绝缘层14。

S104、通过第二次构图工艺处理，在绝缘层上形成栅线、栅极15，之后对多晶硅进行掺杂、激活等处理形成多晶硅半导体有源层13。

S105、在栅线、栅极15上形成第二绝缘层16。

S106、通过第三次构图工艺处理，在第一绝缘层14和第二绝缘层16上形成源极过孔17a、漏极过孔17b，露出有源层13。

S107、通过第四次构图工艺处理，形成数据线、源极18a和漏极18b，其中，源极18a通过源极过孔17a与有源层13连接，漏极18b通过漏极过孔17b与有源层连接13。

S108、在数据线、源极18a和漏极18b上形成保护层19，并通过第五次构图工艺处理在漏极18b上方形成过孔，露出漏极18b。

S109、通过第六次构图工艺处理形成ITO像素电极20，该ITO像素电极20通过过孔与漏极18b连接。

S110、通过第七次构图工艺处理，在基板上形成平坦化层21。

由上可以看出，现有技术中在低温多晶硅TFT阵列基板的制造过程中，需利用总计至少7次的构图工艺处理，制造工艺复杂，制造流程繁多，材料消耗多，增加了加工时间和加工成本。

发明内容

本发明的实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法，减少了构图工艺处理次数，从而简化了制造流程，降低了制造成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种低温多晶硅TFT阵列基板，包括：

基板；

在缓冲层上形成有多晶硅半导体有源层；

所述多晶硅半导体有源层上形成有源极、漏极；所述源极、漏极与所述多晶硅半导体有源层构成TFT区域；

所述源极、漏极上形成有栅绝缘层；

所述栅绝缘层上形成有栅极、栅线；

所述栅极、栅线上形成有保护层；

所述保护层上形成有像素电极层，所述像素电极层通过位于所述保护层、栅绝缘层上的过孔与所述漏极连接。

还包括：

在形成有多晶硅半导体有源层之前，在所述基板上形成有缓冲层。

另一方面，提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，包括：

在基板上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成第一金属层，利用灰色调掩摸板或半透式掩摸板对所述第一金属层、多晶硅层进行构图工艺处理，通过第一次构图工艺得到数据线、源极、漏极和多晶硅半导体部分的图案；

通过第二次构图工艺在所述栅绝缘层上形成栅线、栅极；

在所述源极、漏极和多晶硅半导体部分的图案上形成栅绝缘层；

对所述多晶硅层的源、漏极之间的部分进行掺杂处理，以便与所述源、漏极形成沟道区；

在所述栅线、栅极上形成保护层，通过第三次构图工艺在所述漏极处形成过孔，露出所述漏极；

在所述保护层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接；

通过第四次构图工艺形成像素电极图形；

在像素电极上通过第五次构图工艺形成平坦化层图形。