[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成台阶状的底电极材料层，所述底电极材料层具有上部水平部分、垂直部分和下部水平部分；

沉积停止层；

沉积绝缘材料层；

执行第一化学机械抛光工艺至所述停止层；

执行第二化学机械抛光工艺，以去除所述底电极材料层的上部水平部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述停止层包括非晶碳、Al₂O₃、SiCNH、TiO₂、HfO₂、Ta₂O₅、SiN中的至少一种。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述停止层的厚度为200埃至1000埃。

4.如权利要求1所述的方法，其中采用高深宽比工艺来沉积所述绝缘材料层。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料层包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述底电极材料层的垂直部分上方形成相变材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述相变材料是硫属化合物。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述在衬底上形成台阶状的底电极材料层的步骤包括：

在衬底上依次形成第一绝缘材料层和第二绝缘材料层；

蚀刻去除所述第二绝缘材料层的一部分以露出所述第一绝缘材料层的部分上表面；

沉积底电极材料。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述在衬底上形成台阶状的底电极材料层的步骤还包括：

蚀刻所述底电极材料，以形成图案化的所述台阶状的底电极材料层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一绝缘材料层中形成有接触插塞，所述底电极材料层的下部水平部分与所述接触插塞接触。

11.一种半导体器件，包括：

衬底上的“L”形底电极，所述底电极具有垂直部分和下部水平部分；

绝缘材料层；

“L”形停止材料层，所述“L”形停止材料层位于所述底电极和所述绝缘材料层之间，所述“L”形停止材料层具有垂直部分和水平部分，其中，所述垂直部分位于所述底电极的垂直部分的侧壁上，所述水平部分位于所述底电极的下部水平部分上；

所述“L”形停止材料层和所述绝缘材料层在化学机械抛光工艺中具有不同的选择比。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述“L”形停止材料层包括非晶碳、Al₂O₃、SiCNH、TiO₂、HfO₂、Ta₂O₅、SiN中的至少一种。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述“L”形停止材料层的厚度为200埃至1000埃。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述绝缘材料层包括氧化硅。

15.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

所述底电极的垂直部分上方的相变材料。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述相变材料是硫属化合物。

17.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

衬底上的第一绝缘材料层；

第一绝缘材料层上的第二绝缘材料层，所述第二绝缘材料层未完全覆盖第一绝缘层，所述第二绝缘层具有侧壁；

其中所述底电极的水平部分位于所述第一绝缘材料层上，所述底电极的垂直部分位于所述第二绝缘材料层的侧壁上。

18.如权利要求17所述的半导体器件，还包括：

所述第一绝缘材料层中的接触插塞，所述底电极的下部水平部分与所述接触插塞接触。