[发明专利]用于补偿发光不均匀的OLED像素结构及驱动方法

权利要求书

1.一种有机发光显示器件像素结构，包括第一至第五薄膜晶体管、电容器、和有机发光显示器件，其中第一薄膜晶体管的漏极通过有机发光显示器件连接至背板的负电平，第一薄膜晶体管的源极连接至第三薄膜晶体管的漏极，第三薄膜晶体管的源极连接至背板的正电平，电容器的一端连接至第一与第三薄膜晶体管之间，电容器的另一端连接至第二薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的源极，第二薄膜晶体管的漏极连接至第一薄膜晶体管的漏极和有机发光显示器件，第四薄膜晶体管的漏极连接至第五薄膜晶体管的漏极与第一薄膜晶体管的栅极，其中第五薄膜晶体管的源极连接至数据线，第五和第二薄膜晶体管的栅极连接至扫描线，第一控制信号(EM)提供至第三薄膜晶体管的栅极，第二控制信号(EMD)提供至第四薄膜晶体管的栅极。

2.根据权利要求1的像素结构，其中在预充电周期内，扫描线上的行扫描电压和第一控制信号为低电平，第二控制信号为高电平，数据电压通过第五薄膜晶体管传输到第一薄膜晶体管的栅极上，第四薄膜晶体管断开，第一、第二、第三以及第五薄膜晶体管导通。

3.根据权利要求2的像素结构，其中在补偿周期内，扫描线上的行扫描电压为低电平，第一控制信号和第二控制信号为高电平，数据电压通过第五薄膜晶体管传输到第一薄膜晶体管的栅极上，第三和第四薄膜晶体管断开，第一、第二、和第五薄膜晶体管导通。

4.根据权利要求3的像素结构，其中在发光周期内，扫描线上的行扫描电压为高电平，第一控制信号和第二控制信号为低电平，第二和第五薄膜晶体管断开，第一、第三、和第四薄膜晶体管导通。

5.根据权利要求1的像素结构，其中在预充电周期和补偿周期内，所述数据线上的信号(DATA)为实际数据电压。

6.根据权利要求1至5任一项的像素结构，其中所述第一至第五薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

7.根据权利要求1的像素结构，其中第一薄膜晶体管的宽长比被设置为能够补偿由于有机发光显示器件的退化所导致的亮度损失。

8.用于有机发光显示器件像素结构的驱动方法，

其中所述驱动方法在每一帧图像刷新过程中执行如下步骤：

在预充电周期，扫描线和第一控制信号(EM)为低电平，第二控制信号(EMD)为高电平，使得第四薄膜晶体管断开，第一、第二、第三以及第五薄膜晶体管导通；

在补偿周期，扫描线为低电平，第一控制信号(EM)和第二控制信号(EMD)为高电平，使得第三和第四薄膜晶体管断开，第一、第二、和第五薄膜晶体管导通；以及

在发光周期，扫描线为高电平，第一控制信号(EM)和第二控制信号(EMD)为低电平，使得第二和第五薄膜晶体管断开，第一、第三、和第四薄膜晶体管导通。