[发明专利]一种中空结构的微阵列电极的制备方法

权利要求书

1.一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）制作掩膜版；

2）在玻璃片上，溅射金属Ti薄层，并作氧化处理，将溅射氧化处理的玻璃 片烘干后，再在此玻璃片上依次进行甩负胶、前烘、曝光、中烘、显影处理， 根据掩膜版设计的电极形状，实现微阵列电极底板支撑层的图形化；

3）在以去胶机去除片上的残留负胶后，进行活化清洗，然后采用电沉积技 术，得到镍微电极底板支撑层，即中空镍微阵列电极的第一层；

4）将电沉积得到的镍微电极底板支撑层以平面加工技术进行平坦化后，进 行活化清洗，并进行烘干，随后再次甩负胶、前烘曝光、中烘、显影处理，根 据掩膜版设计的电极形状，实现电极光刻胶结构的图形化；

5）重复3）中以去胶机去除片上的残留负胶后，进行活化清洗，然后采用 电沉积技术，得到中空镍微电极阵列，即中空镍微阵列电极的第二层；

6）将电沉积得到的镍微电极阵列后以平面加工技术进行平坦化后，在其表 面溅射一层Gr/Cu导电层；

7）将上述溅射了Gr/Cu导电层的玻璃片进行烘干后，在其表面甩正胶、前 烘、曝光、显影，实现电极端面约束孔的图形化；

8）在以去胶机去除片上的残留正胶后，进行活化清洗，然后再次用电沉积 技术得到中空镍微阵列电极的第三层；

9）在进行平坦化处理后，去负胶、去残留玻璃、Ti溅射层、Gr/Cu导电层， 再进行清洗得到光滑的具有中空结构的微阵列电极。

2.根据权利要求1所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在 于：所述电极的形状与尺寸均由掩膜版上图形的尺寸决定，做成单个或阵列排 布。

3.根据权利要求1所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在 于：所述镍微电极底板支撑层、中空镍微电极以及中空镍微阵列电极第三层均 采用氨基磺酸镍电镀工艺制备镍电镀层，其环境参数为温度45℃，PH为4，镀 液循环，电镀厚度为20-300um。

4.根据权利要求3所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在 于：所述电镀工艺中，其镀液采用氨基磺酸镍溶液，其组分为氨基磺酸镍500g/L， 氯化镍5g/L，硼酸20g/L，添加光亮剂0.1-0.2g/L的1,4丁炔二醇和1.2-2.5g/L 的糖精。

5.根据权利要求1所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在 于：所述步骤2）、4）、7）中，曝光的时间分别为180s，60s，20s。

6.根据权利要求1或5所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特 征在于：所述步骤2）中，烘干温度和时间为180℃、4h。

7.根据权利要求1所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在 于：所述步骤3）中，采用的活化清洗液为1:1的HCl溶液，时间2min。

8.根据权利要求1所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在 于：所述步骤4）中，采用的活化清洗液为5-10%NaOH溶液，时间5min。

9.根据权利要求1或5或8所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法， 其特征在于：所述步骤4）中，烘干温度和时间分别为60℃、2h。

10.根据权利要求1或5所述的一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其 特征在于：所述步骤7）中，烘干温度和时间为60℃、2h。