[发明专利]一种锂电池充电保护芯片无效
| 申请号： | 201110271643.6 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102355018A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 杨兴洲 | 申请（专利权）人： | 开源集成电路(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锂电池 充电 保护 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种锂电池充电保护芯片，芯片上具有OUT引脚和GATDRV引脚，其特征在于，所述OUT引脚和GATDRV引脚之间连接有的镜像电流源，所述镜像电流源包括两个MOS管。
2.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片，其特征在于，所述镜像电流源还包括：运算放大器，所述两个MOS管为P沟道增强型MOS管；其中：
两个P沟道增强型MOS管的栅极短接，源极短接到电源，一个P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚，另一个P沟道增强型MOS管的漏极连接所述GATDRV引脚；
所述运算放大器的输出端连接两个P沟道增强型MOS管的栅极短接点，反相输入端连接一个P沟道增强型MOS管的漏极，正相输入端连接另一个P沟道增强型MOS管的漏极。
3.根据权利要求2所述的锂电池充电保护芯片，其特征在于，所述电源为所述锂电池充电保护芯片的内部电源。
4.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片，其特征在于，所述MOS管为N沟道增强型MOS管。
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