[发明专利]长型磁传感器有效

专利信息
申请号: 201110271871.3 申请日: 2011-09-14
公开(公告)号: CN102435961A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 新村耕二;南谷保;中村顺寿 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 长型磁 传感器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及对例如印刷于纸币等的磁性图案进行检测的长型磁传感器。

背景技术

例如专利文献1公开了一种长型磁传感器,其具有多个磁阻元件和多个磁铁,其中磁阻元件在表面形成了以相对于被探测物的移动方向大致正交的方向为长边方向的感磁部,磁铁对该磁阻元件的感磁部施加磁场。

在此,在图1中示出专利文献1所公开的长型磁传感器的构造例。在图1的例子中,按照对磁铁5a-5b进行搭桥的方式,配置有具备感磁部20ab的磁阻元件2ab,按照对磁铁5b-5c进行搭桥的方式,配置有具备感磁部20bc的磁阻元件2bc。并且,按照相邻彼此相邻的磁铁的磁极成为彼此相反的方向的方式,配置了磁铁5a、5b、5c。

通过这种构造,磁铁的中央部位于彼此相邻的两个磁阻元件的感磁部间的间隙部分Gh。由于磁铁的中央部与端部附近相比,磁通量密度高且稳定,因此相邻的感磁部间的磁通量密度,与其他区域相比有所提高。其结果,能够对间隙部分Gh的检测电平的降低进行补偿,能够在长边方向的整体得到平坦的检测电平特性。

专利文献1:JP专利第3879777号公报

在此,在图2中示出一般的磁阻元件的元件灵敏度特性的例子。在图2中,横轴为磁阻元件的长边方向位置,纵轴为磁阻元件的元件灵敏度。这里的元件灵敏度(K)表示对磁阻元件施加了磁场时的磁阻值是没有对磁阻元件施加磁场时的磁阻值的几倍,用K=RB/R0(RB:对磁阻元件施加了磁场时的磁阻元件的元件阻值,R0:没有对磁阻元件施加磁场时的磁阻元件的元件阻值)来表示。此外,与该横轴相应地表示了感磁部20。像这样,感磁部20在检测宽度方向(相对于被探测物的移动方向正交的长边方向)具有均等的灵敏度。

但是,即使在像专利文献1这样,在将磁阻元件配置为对多个磁铁进行搭桥的位置关系的情况下,例如若相邻的磁铁彼此之间的间隙大于规定值,则施加于感磁部的中央部分的磁通量密度,比施加于两端部的磁通量密度稍低。因此,在成为相邻的磁铁彼此之间的间隙的位置,例如,在磁阻元件的中央部分,磁传感器的输出灵敏度有可能陷落。图3表示了这种情况。图3(A)是表示长型磁传感器的输出灵敏度的图,图3(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件的感磁部20ab、20bc和磁铁5a、5b、5c之间的位置关系的图。在图3中,在相邻的磁铁彼此之间的间隙的位置,即在感磁部20ab、20bc的中央部分,出现了输出灵敏度(传感器检测出介质时的输出电压)的降低Dm。

此外,与磁铁的配置没有直接关系地,在磁阻元件的感磁部20ab、和与其相邻的磁阻元件的感磁部20bc之间产生间隙。在该间隙位置出现了灵敏度降低Ds。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种长型磁传感器,其能够进一步减小在相邻的磁铁彼此之间的间隙部或相邻的磁阻元件的感磁部彼此之间的间隙部附近产生的灵敏度降低。

本发明的长型磁传感器的特征在于,具有:多个磁阻元件,其在表面形成了以与被探测物的移动方向正交的方向为长边方向的感磁部;和多个磁铁,其对该磁阻元件的感磁部施加磁场,

所述多个磁阻元件的感磁部以及所述多个磁铁分别沿着与被探测物的移动方向正交的直线而排列,

所述磁阻元件的所述感磁部中的磁阻部的密度,在相邻的所述磁铁彼此之间的间隙部上或者相邻的所述磁阻元件的间隙部附近相对较高,或者在相邻的所述磁铁彼此之间的间隙部上以及相邻的所述磁阻元件的间隙部附近相对较高。另外,在此所说的“磁阻部的密度”是指每单位面积中磁阻部的面积所占的比例。

例如,所述磁阻元件配置为对所述多个磁铁中的相邻的磁铁彼此之间进行搭桥的位置关系。

此外,例如所述磁阻元件的长边方向的两端部(即相邻的磁阻元件的感磁部彼此之间的间隙部的附近)的所述感磁部中的所述磁阻部的密度相对较高。

所述多个磁铁也可以配置为,相对于所述多个磁阻元件的感磁部的磁极方向,在相邻的磁铁之间彼此相反。或者,也可以配置为相对于所述多个磁阻元件的感磁部的磁极方向相同。

根据本发明,磁阻元件通过使感磁部的磁阻部中的、相邻的磁铁彼此之间的间隙部上的密度或者相邻的磁阻元件的间隙部附近的密度与其他区域的密度相比相对较高地形成,能够进一步减小在相邻的磁铁彼此之间的间隙部产生的灵敏度降低或在相邻的磁阻元件的间隙部(更具体来说,感磁部彼此之间的间隙部)附近产生的灵敏度降低。

附图说明

图1是表示专利文献1所公开的长型磁传感器的构造例的图。

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