[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于：

在能够抽真空的处理容器内，使用含有Mn的含有机金属原料气体、含有铜的含铜原料气体和H₂O水蒸气，通过热处理在被处理体的表面形成CuMn合金的薄膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述热处理为CVD(化学气相沉积)处理。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述热处理是交替地反复供给所述原料气体和所述H₂O水蒸气进行成膜的ALD(原子层沉积)处理。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

通过交替地反复实施下述第一工序和第二工序，形成所述薄膜，

第一工序包括所述含有机金属原料气体的供给及其后的所述H₂O水蒸气的供给，

第二工序包括所述含铜气体的供给及其后的所述H₂O水蒸气的供给。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述被处理体的表面具有凹部，通过所述热处理形成薄膜后，实施用于除去形成于所述凹部底面上的薄膜的穿通处理。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于：

所述穿通处理是在用抗蚀剂覆盖去除对象部位以外的被处理体的表面的状态下实施的蚀刻处理。

7.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于：

所述穿通处理是对被处理体的整个表面进行深蚀刻的蚀刻处理。

8.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于：

所述凹部包括槽和形成于该槽底部的孔，通过所述穿通处理除去的薄膜是形成于所述孔的底面的薄膜。

9.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

通过CVD处理，在形成有所述薄膜的被处理体上堆积铜膜，实施所述被处理体的凹部的埋入处理。

10.根据权利要求9所述的成膜方法，其特征在于：

所述埋入处理在形成有所述薄膜的处理容器内进行。

11.根据权利要求9所述的成膜方法，其特征在于：

在所述埋入处理后的工序中，对所述被处理体实施退火处理。

12.根据权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

所述退火处理在实施所述埋入处理后的处理容器内进行。

13.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

采用镀法，在形成有所述薄膜的被处理体上堆积铜膜，实施所述被处理体的凹部的埋入处理。

14.根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于：

在所述埋入处理后的工序中，对所述被处理体实施退火处理。

15.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述薄膜的基底膜由选自SiO₂膜、SiOF膜、SiC膜、SiN膜、SiOC膜、SiCOH膜、SiCN膜、多孔二氧化硅膜、多孔甲基倍半硅氧烷膜、聚丙炔膜、SiLK(注册商标)膜和氟碳膜中的1种以上的膜构成。