[发明专利]MEMS器件的薄膜制造方法无效
| 申请号： | 201110272176.9 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102320560A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张艳红;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种MEMS器件的薄膜制造方法，包括步骤：
提供{111}方向的硅基底(101)，其上形成有多个凹槽(104)，所述凹槽(104)具有第一深度(h1)；
在多个所述凹槽(104)的侧壁形成侧壁保护层(105)；
进一步刻蚀多个所述凹槽(104)，在所述硅基底(101)中形成多个深槽(106)，所述深槽(106)相比所述凹槽(104)加深第二深度(h2)；
采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽(106)，在所述硅基底(101)内部形成腔体(107)；
采用填充材料(108)将多个所述凹槽(104)完全填充，形成封闭的腔体(107)和厚度等于所述第一深度(h1)的薄膜；
其中，多个所述凹槽(104)的窗口(103)之间的最大行间距(d1)和最大列间距(d2)的计算公式如下：
其中，d1为多个所述凹槽(104)的窗口(103)的最大行间距，d2为多个所述凹槽(104)的窗口(103)的最大列间距，h2为多个所述深槽(106)对多个所述凹槽(104)加深的第二深度，b为所述薄膜垂直于版图平边<110>方向的尺寸。
2.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，若所述窗口(103)任何一边均不与所述平边<110>方向平行，则在计算多个所述凹槽(104)的窗口(103)之间的最大行间距(d1’)和最大列间距(d2’)之前还包括步骤：
用三对平行的<110>晶向的直线对所述窗口(103)作最大外接图形(110)；
以多个所述最大外接图形(110)之间的最大行间距(d1)和最大列间距(d2)映射为所述窗口(103)之间的最大行间距(d1’)和最大列间距(d2’)。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述凹槽(104)的窗口(103)为正方形、三角形、多边形、圆形或者其他任何封闭图形。
4.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀法采用各向异性的腐蚀工艺，在所述硅基底内部形成所述腔体。
5.根据权利要求4所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的溶液为KOH、TMAH、EDP、NaOH、CsOH或NH4OH。
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