[发明专利]基于局部微结构光纤光栅的双波长激光器无效
| 申请号： | 201110272523.8 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102324687A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 曹晔;杨寅飞;童峥嵘;杨秀峰 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01S3/10 | 分类号： | H01S3/10 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 李益书 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 局部 微结构 光纤 光栅 波长 激光器 | ||
1.一种基于局部微结构光纤光栅的双波长激光器，其特征在于该激光器包括980nm或1480nm的泵源（1）、波分复用器（2）、掺铒光纤（3）、偏振相关隔离器（4）、偏振控制器（5）、光耦合器（6）、局部微结构光纤光栅（7）；
泵源（1）的输出端接波分复用器（2）的第一端口，波分复用器（2）的第三端口接掺铒光纤（3）的输入端，掺铒光纤（3）的输出端接偏振相关隔离器（4）的输入端，偏振相关隔离器（4）的输出端接偏振控制器（5）的一端，偏振控制器（5）的另一端接光耦合器（6）的第一端口，光耦合器（6）的第二端口与波分复用器（2）的第二端口相连，光耦合器（6）的第三端口和局部微结构光纤光栅（7）的一端相连，光耦合器（6）的第四端口作为输出端。
2.根据权利要求书1所述的基于局部微结构光纤光栅的双波长激光器，其特征在于所述的局部微结构光纤光栅（7）的制作方法是：首先将一个布拉格光栅与宽带光源和光谱仪连接，使用电烙铁加温的方法，找到光栅的栅区，通过使用长度为 ，直径为D的小塑料管包裹住中心波长是的光纤布拉格光栅的栅区中间部分，将体积分数为20%-40%的氢氟酸溶液注入到塑料管内，由于大气压的原因，氢氟酸不会外漏，氢氟酸能够腐蚀光栅的包层，腐蚀时间为80-120分钟，然后将氢氟酸溶液抽出，即可完成局部微结构光纤光栅的制作，局部微结构光纤光栅的刻蚀区域长度就是塑料管的长度；控制氢氟酸的浓度和腐蚀时间，在相同氢氟酸浓度和腐蚀时间的条件下，将布拉格光栅栅区相同位置的包层进行局部刻蚀后，能够得到相同结构和频谱的刻蚀光栅。
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