[发明专利]敏感光阻耐受程度检测方法及晶圆缺陷检验方法有效
| 申请号： | 201110272691.7 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102435547A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王恺;陈宏璘;倪棋梁;龙吟;郭明升;朱陆军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N17/00 | 分类号： | G01N17/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 敏感 耐受 程度 检测 方法 缺陷 检验 | ||
【权利要求书】：
1.一种敏感光阻耐受程度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将敏感光阻置于试验片中，并建立对其的深紫外光源扫描程式；
步骤2，选定测试扫描区域；
步骤3，对选定区域扫描；
步骤4，检查敏感光阻图形是否发生变化；
步骤5，如敏感光阻图形无变化，则继续扫描，如有变化，则记录深紫外光源程式对所选区域的扫描次数；
步骤6，将步骤4所得扫描次数记录为所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。
2.如权利要求1所述的敏感光阻耐受程度检测方法，其特征在于，所述深紫外光源的波长为260nm~300nm。
3.一种应用如权利要求1或2所述的方法进行晶圆缺陷检验的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，确定晶圆中所需检验的敏感光阻；
步骤2，应用权利要求1所述的方法检测步骤1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受扫描次数；
步骤3，调整深紫外光源缺陷扫描设备在扫描过程中经过晶圆中所述敏感光阻所在区域的最大扫描次数，使得最大扫描次数小于所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。
4.如权利要求3所述的晶圆缺陷检验的方法，其特征在于，所述深紫外光源缺陷扫描设备的深紫外光源的波长为260nm~300nm。
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