[发明专利]表面发射激光器、阵列、光学扫描装置和成像设备无效
申请号: | 201110273300.3 | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN102324695A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 石井稔浩;牧田宪吾;轴谷直人;原坂和宏;佐藤俊一;菅原悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | H01S5/18 | 分类号: | H01S5/18;G03G15/04;H01S5/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王冉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 发射 激光器 阵列 光学 扫描 装置 成像 设备 | ||
1.一种表面发射激光器,包括:
衬底,其具有主平面,所述主平面的法线相对于其中一个晶体取向<100>朝向其中一个晶体取向<111>倾斜,其中所述表面发射激光器配置成在垂直于所述衬底的方向发光;以及
堆叠在所述衬底上的多层半导体层,所述半导体层包括
谐振器结构,该谐振器结构包括有源层,以及
半导体多层镜,该半导体多层镜堆叠在所述谐振器结构上并包括限制结构,其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕,该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分所产生,其中
由所述氧化所致的应变场至少在围绕所述电流通过区域的所述氧化区域附近的一部分中存在;以及
在所述应变场中,在平行于所述衬底的表面且垂直于所述其中一个晶体取向<100>和所述其中一个晶体取向<111>二者的第一轴方向上的应变量不同于在垂直于所述法线和所述第一轴方向二者的第二轴方向上的应变量。
2.如权利要求1所述的表面发射激光器,其中,其中已经在所述第一轴方向进行氧化的氧化区域的一部分的厚度小于其中已经在所述第二轴方向进行氧化的氧化区域的一部分的厚度。
3.如权利要求1所述的表面发射激光器,其中
所述半导体层通过在氧化之前进行蚀刻而成形为台面,以使得至少所述选择性氧化层在该台面的横向侧暴露;以及
在垂直于其中光发射的方向的平面中,在所述第二轴方向的氧化速率慢于在所述第一轴方向的氧化速率。
4.如权利要求2所述的表面发射激光器,其中,其中已经向着所述第二轴方向的一端进行氧化的氧化区域的所述部分的第一部分的厚度大于其中已经向着所述第二轴方向的另一端进行氧化的氧化区域的所述部分的第二部分的厚度。
5.如权利要求4所述的表面发射激光器,其中,当在所述第一轴方向的氧化速率为1时,向着所述第二轴方向的一端的氧化速率小于0.995。
6.一种表面发射激光器阵列,包括多个如权利要求1-5中任一项所述的表面发射激光器。
7.一种用于光学扫描目标表面的光学扫描装置,包括:
光源,该光源包括如权利要求1-5中任一项所述的表面发射激光器;
偏转器,该偏转器配置成偏转从所述光源发出的光;和
扫描光学系统,该扫描光学系统配置成将通过所述偏转器偏转的光聚焦在所述目标表面上。
8.一种用于光学扫描目标表面的光学扫描装置,包括:
光源,该光源包括如权利要求6所述的表面发射激光器阵列;
偏转器,该偏转器配置成偏转从所述光源发出的光;和
扫描光学系统,该扫描光学系统配置成将通过所述偏转器偏转的光聚焦在所述目标表面上。
9.一种成像设备,包括:
至少一个图像载体;和
如权利要求7所述的光学扫描装置,该光学扫描装置被配置成根据图像信息用光扫描所述至少一个图像载体。
10.如权利要求9所述的成像设备,其中,所述图像信息是多色图像信息。
11.一种成像设备,包括:
至少一个图像载体;和
如权利要求8所述的光学扫描装置,该光学扫描装置被配置成根据图像信息用光扫描所述至少一个图像载体。
12.如权利要求11所述的成像设备,其中,所述图像信息是多色图像信息。
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