[发明专利]电源电路有效
申请号: | 201110274123.0 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN102386765A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 伊藤良明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M3/156 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;朱海煜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 电路 | ||
技术领域
本文公开的本发明的一个实施例涉及电源电路。
背景技术
在一些情况下,在液晶显示装置、CCD、数字拍摄装置或其类似物中输入负电压是必须的。作为用于供应这样的负电压的电路,已知有反相DC-DC转换器电路(参见专利文件1)。
在专利文件1中,作为负电压的反馈电压VFB使用电源电压VDD和接地电压GND(0V)产生。
作为负电压的反馈电压VFB由负到正电压转换电路转换成正电压。因此,作为负电压的反馈电压VFB由该负到正电压转换电路检测。
[参考]
[专利文件]
[专利文件1]日本公开的专利申请号2009-303313
发明内容
在专利文件1中的电源电路中,用于检测作为负电压的反馈电压的负到正电压转换电路包括n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管。
MOS晶体管是不利的,因为输出电流由于关于源极的电势的栅极、漏极和背栅极的电势而变化。因此,当负到正电压转换电路如在专利文件1中的电源电路的情况下包括n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管时,存在这些MOS晶体管的输出电流可能变化并且从而负到正电压转换电路的输出电压可能变化的可能性。
此外,MOS晶体管是不利的,因为输出电流由于操作温度而变化。因此,当负到正电压转换电路如在专利文件1中的电源电路的情况下包括n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管时,存在这些MOS晶体管的输出电流可能变化并且从而负到正电压转换电路的输出电压可能变化的可能性。
鉴于前述内容,本文公开的本发明的一个实施例的一个目的是获得用于检测反馈电压而没有输出电压/电流中的变化的检测电路。
此外,本文公开的本发明的一个实施例的另一个目的是获得用于检测反馈电压而没有因操作温度造成的输出电压中的变化的检测电路。
此外,本文公开的本发明的一个实施例的另一个目的是获得包括上文的检测电路的电源电路。
本文公开的本发明的一个实施例是要提供检测电路,其包括:第一参考电压产生电路,其用于输出提供在电源电压VDD和低于该电源电压VDD的电源电压VSS(例如,接地电压GND(0V))之间的输出电压Vref;以及第二参考电压产生电路,其用于输出提供在该电源电压VDD和反馈电压Vfb之间的输出电压(Vref-Vfb)。
第一参考电压产生电路的输出电压Vref和第二参考电压产生电路的输出电压(Vref-Vfb)输入到输入信号调节电路。该检测电路包括第一参考电压产生电路、第二参考电压产生电路和该输入信号调节电路。该输入信号调节电路直接从第一参考电压产生电路输出输出电压Vref;并且该输入信号调节电路将来自第二参考电压产生电路的输出电压(Vref-Vfb)转换成电压Verr_in并且输出该电压Verr_in。
输出电压Vref和从输入信号调节电路输出的电压Verr_in输入到误差放大器电路。该误差放大器电路起作用使得输入电压的电平变为相等。从而,输出电压Vref和电压Verr_in的电平变为相等。
即,本文公开的本发明的一个实施例是要提供这样的输入信号调节电路,其中输入到误差放大器电路的输出电压Vref和电压Verr_in的电平变为相等。
在本文公开的本发明的一个实施例中,为了使输出电压Vref和电压Verr_in的电平相等,使来自第一参考电压产生电路的输出电压Vref和来自分压器电路的反馈电压Vfb相等是必须的。从而,本文公开的本发明的一个实施例是要提供第一参考电压产生电路、第二参考电压产生电路和输入信号调节电路,使得来自第一参考电压产生电路的输出电压Vref和来自分压器电路的反馈电压Vfb变为相等。
如上文描述的,在本文公开的本发明的一个实施例中,包括第一参考电压产生电路、第二参考电压产生电路和输入信号调节电路的检测电路可以检测作为负电压的反馈电压Vfb。
在本文公开的本发明的一个实施例中,第一参考电压产生电路和第二参考电压产生电路每个是包括二极管和电阻器的带隙基准(band gap reference)。在本文公开的本发明的一个实施例中的检测电路包括第一参考电压产生电路、第二参考电压产生电路和输入信号调节电路。因此,可以获得具有高输出稳定性的检测电路,其中输出电压没有因输出电压/电流而变化。
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