[发明专利]发光二极管组件

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，更具体的说是关于控制半导体发光晶粒发光波长波段的发光二极管组件。

背景技术

目前，所知有关于提高及均匀化发光二极管发光率的技术，可细分为：1.基材的设计(包含取光与散热)；2.芯片的选择与排列方式；3.固晶方式；4.金线线型与粗细；5.荧光体种类与涂布结构；6.光学镜体的曲率与折射率。如上所述，每一道关键制程都对发光二极管的散热性能、光通量、发光效率、相对温色(CCT)、演色性(CRI)、光色的均匀性及寿命等特性影响很大。因此，若想将发光二极管发光率发挥至淋漓尽致，则必须着重于每一个细节。

发明内容

为均匀化发光二极管组件的发光亮度，本发明提供一种发光二极管组件，该组件包含复数个发光主波长在控制范围内的半导体发光晶粒，通过控制发光晶粒的发光波长范围，使发光二极管组件的发光均匀化。

根据本发明的目的，发明人提出一种发光二极管组件，其包含一基板以及复数个发光主波长介于440纳米至490纳米之间的半导体发光晶粒。其中，这些半导体发光晶粒设置在该基板上，同时与基板电性连接。再者，这些半导体发光晶粒的最大发光主波长与最小发光主波长间的波长差至少为10纳米。

进一步的说，通过上述半导体发光晶粒发光主波长的均匀配置，可使平均发光主波长介于450纳米至470纳米之间，更精确的来说，这些半导体发光晶粒的平均发光主波长最好是介于453纳米至460纳米。因此，通过上述的配置，不仅可使本发明所述的发光二极管组件的发光均匀化，更能够消化生产在线多余的库存半导体发光晶粒。换句话说，首先可预设中心半导体发光晶粒为最佳的发光主波长，另外只要符合发光主波长波段的范围、最大与最小发光主波长的波长差及平均发光主波长等条件，其余的半导体发光晶粒即可随机配置。再者，本发明所述的发光二极管组件可进一步包含其他波段的半导体发光晶粒，例如发光主波长介于620纳米至770纳米的红光半导体发光晶粒以及发光主波长介于490纳米至580纳米的绿光半导体发光晶粒，将各色光均匀地混光后，即可获得一白光发光二极管组件。

除此之外，本发明所述的发光二极管组件也可包含一封装结构，该封装结构覆盖在所有半导体发光晶粒上。在此强调，所谓的封装结构有多种不同的结构配置，第一种封装结构即为远程荧光体结构(Remote Phosphor)的双层结构，此封装结构包含一荧光层与一封装层，荧光层由混合黄色荧光粉的透明胶材所组成，封装层由硅胶或树脂胶所组成。第二种封装结构为均匀涂布结构(Uniform Distribution)，此封装结构充填有荧光粉，第三种封装结构为共型涂布结构(Conformal Distribution)，此封装结构的荧光粉贴附着半导体发光晶粒而设置。总而言之，半导体发光晶粒所发出的光激发该荧光层，荧光层被激发而发出主波长介于520纳米至660纳米之间的光，以达到调整色温及优化照明亮度的目的。

根据上述说明，本发明所述的发光二极管组件，可具有一或多个下述特色及优点：

(1)本发明所述的发光二极管组件，通过控制半导体发光晶粒发光主波长波段在440纳米至490纳米之间、最大与最小发光主波长间的波长差至少10纳米及平均发光主波长在450纳米至470纳米之间，即可使发光二极管组件的发光均匀化，同时消化生产在线多余的库存半导体发光晶粒。

(2)本发明所述的发光二极管组件，参杂有荧光粉的封装结构具有高度的色彩控制能力。

(3)本发明所述的发光二极管组件，由硅胶所组成的封装结构具有高折射率、高耐温性、绝缘性、化学稳定性及高透光性等特性。

附图说明

图1为本发明实施例一所述的发光二极管组件的示意图。

图2为本发明实施例二所述的发光二极管组件的示意图。

图3为本发明实施例三所述的发光二极管组件的示意图。

图4为本发明实施例四所述的发光二极管组件的示意图。

图5为本发明实施例五所述的发光二极管组件的示意图。

附图标记说明：

100-基板；210-第一半导体发光晶粒；220-第二半导体发光晶粒；230-第三半导体发光晶粒；300-封装结构；310-封装层；320-荧光层；321-荧光粉；400-第四半导体发光晶粒；410-第五半导体发光晶粒。

具体实施方式

以下将参照相关附图，进一步说明本发明所述的发光二极管组件的实施例。

实施例一