[发明专利]MOCVD设备和利用该MOCVD形成白光LED的方法无效

专利信息
申请号: 201110274573.X 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN102994983A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 张秀川;徐亚伟 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/54 分类号: C23C16/54;H01L33/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: mocvd 设备 利用 形成 白光 led 方法
【权利要求书】:

1.一种MOCVD设备,其特征在于,包括:

本体;

第一至第五反应腔室,所述第一和第五反应腔室分别形成在所述本体中,所述第一反应腔室用于在晶片上形成第一半导体材料层,所述第二反应腔室用于在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层,所述第三反应腔室用于在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层,所述第四反应腔室用于在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层,所述第五反应腔室用于在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层,其中所述第一至第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED;

晶片装卸装置,所述晶片装卸装置用于临时存放晶片;和

传输装置,所述传输装置设在所述本体内用于在所述第一至第五反应腔室以及所述晶片装卸装置之间传输晶片。

2.根据权利要求1所述的MOCVD设备,其特征在于,所述本体内设有传输区域,所述传输装置设在所述传输区域内,所述第一至第五反应腔室和所述晶片装卸装置围绕所述传输区域成集蔟式排列。

3.根据权利要求2所述的反应腔,其特征在于,所述传输装置为机械手。

4.根据权利要求1所述的MOCVD设备,其特征在于,所述晶片装卸装置包括第一晶片装卸装置和第二晶片装卸装置,所述第一晶片装卸装置、所述第一至第五反应腔室和所述第二晶片装卸装置依次成直线式排列。

5.根据权利要求4所述的MOCVD设备,其特征在于,所述传输装置为直线式传输装置。

6.根据权利要求1所述的MOCVD设备,其特征在于,所述晶片为蓝宝石晶片。

7.根据权利要求1所述的MOCVD设备,其特征在于,所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、蓝光发光层、绿光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

8.根据权利要求1所述的MOCVD设备,其特征在于,所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、绿光发光层、蓝光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

9.根据权利要求7或8所述的MOCVD设备,其特征在于,所述第二和第三腔室为同一腔室。

10.根据权利要求7或8所述的MOCVD设备,其特征在于,所述第一至第三腔室为同一腔室。

11.一种利用权利要求1-10中任一项所述的MOCVD设备形成白光LED的方法,其特征在于,包括以下步骤:

通过所述传输装置将晶片从所述晶片装卸装置内放入所述第一反应腔室以在所述晶片上形成第一半导体材料层;

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第二反应腔室以在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层;

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第三反应腔室以在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层;

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第四反应腔室以在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层;

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第五反应腔室以在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层,从而所述第一至所述第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED;和

将所述晶片从所述第五反应腔室放入所述晶片装卸装置。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述晶片为蓝宝石晶片。

13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、蓝光发光层、绿光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、绿光发光层、蓝光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

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