[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器，其中，具有：

半导体基板；

选择晶体管，其形成于所述半导体基板的表面部，具有栅电极、栅绝缘膜、源以及漏；和

存储元件，其设置于所述源或所述漏上，具有磁化的方向可变的磁化存储层、磁化的方向固定的磁性参照层以及设置于所述磁化存储层与所述磁性参照层之间的非磁性层。

2.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述栅电极埋入于在所述半导体基板的表面部所形成的槽的内部，

所述栅绝缘膜在所述槽的底面和侧面设置于所述栅电极与所述半导体基板之间，

所述源以及所述漏形成为，在所述半导体基板的表面部夹着所述栅电极以及所述栅绝缘膜，

所述栅电极的上侧的面与所述源以及所述漏的上侧的面为实质上相同的高度。

3.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述栅绝缘膜设置于所述半导体基板的表面上，

所述栅电极设置于所述栅绝缘膜上，

所述源以及所述漏具有：在所述半导体基板的表面部以夹着所述栅电极的方式分别形成的源扩散层以及漏扩散层；和在所述源扩散层以及漏扩散层上分别形成的半导体层，

所述栅电极的上侧的面与所述半导体层的上侧的面为实质上相同的高度。

4.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述栅绝缘膜设置于所述半导体基板的表面上，

所述栅电极设置于所述栅绝缘膜上，

所述源以及所述漏具有在所述半导体基板的表面部以夹着所述栅电极的方式分别形成的源扩散层以及漏扩散层。

5.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

还具有设置于所述源或所述漏与所述存储元件之间的阻挡层。

6.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述存储元件还具有下部电极和上部电极，

所述下部电极与所述源或所述漏接触，

在所述下部电极与所述上部电极之间层叠有所述磁化存储层、所述非磁性层和所述磁性参照层。

7.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述存储元件，在所述磁性参照层上还具有磁化调整层，该磁化调整层抑制来自所述磁性参照层的漏泄磁场对所述磁化存储层的影响。

8.根据权利要求7所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述存储元件，在所述磁化调整层上还具有将所述磁化调整层的磁化的方向固定的反铁磁性膜。

9.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述存储元件还具有：设置于所述磁化存储层与所述非磁性层之间的第一界面磁性层；和设置于所述磁性参照层与所述非磁性层之间的第二界面磁性层。

10.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述磁化存储层的磁化的方向相对于所述磁化存储层的膜面实质上垂直，所述磁性参照层的磁化的方向相对于所述磁性参照层的膜面实质上垂直。

11.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，

所述磁化存储层的磁化的方向相对于所述磁化存储层的膜面实质上平行，所述磁性参照层的磁化的方向相对于所述磁性参照层的膜面实质上平行。

12.一种磁性随机存取存储器的制造方法，其中，包括：

在半导体基板形成槽的工序；

在所述槽的侧面以及底面对栅绝缘膜进行成膜的工序；

在所述槽中，在所述栅绝缘膜上埋设栅电极的工序；

在所述半导体基板的表面部，以夹着所述栅绝缘膜以及所述栅电极的方式形成源扩散层以及漏扩散层的工序；和

在所述源扩散层或漏扩散层上形成具有磁化存储层、非磁性层以及磁性参照层的存储元件的工序。