[发明专利]半导体制造和具有半导体结构的半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

去除半导体衬底的至少第一部和第二部中的半导体材料，从而使得在所述半导体衬底中在所去除的第一部和第二部之间形成半导体结构；

对所述半导体衬底应用迁移过程，从而使得所述半导体结构的第一部分在迁移过程之后保留而所述半导体结构的第二部分的半导体材料迁移到其他位置，

其中通过所述半导体结构的第二部分的材料迁移，形成在该结构的保留下来的第一部分上方延伸且没有半导体材料的连续空间、以及在所述连续空间上方从第一部延伸到第二部的连续半导体材料层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述迁移过程包括氢气氛围下的热处理。

3.根据权利要求1的方法，其中所述连续半导体材料层是通过所述半导体结构的第一部分的迁移材料的再结晶而形成的晶体半导体层。

4.根据权利要求1的方法，其中所述半导体结构的保留下来的第一部分的至少一部分形成MEMS器件的灵活元件。

5.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述半导体结构的第一部分的壁上提供一层，该层的材料不同于所述半导体材料。

6.根据权利要求5的方法，其中其材料不同于所述半导体材料的所述层是用以保护所述半导体结构的第一部分的材料在迁移过程期间免于迁移的保护层。

7.根据权利要求1的方法，其中通过迁移过程而使所述半导体结构的至少一个另一个部分的半导体材料发生迁移，从而形成在所述衬底的第一部和第二部之间延伸且没有半导体材料的另一个连续空间，所述另一个连续空间与所述连续空间分开。

8.根据权利要求1的方法，其中所述半导体结构的第二部分处于所述半导体结构的第一部分上方。

9.根据权利要求1的方法，还包括去除所述半导体衬底的至少一个另一个第三部从而使得形成至少一个另一个半导体结构，其中所述至少一个另一个半导体结构的第一部分在应用迁移过程之后保留，并且其中所述至少一个另一个半导体结构的第二部分在迁移过程期间发生迁移，其中所述没有半导体材料的连续空间在第一部、第二部和至少一个另一个第三部之间延伸并且其中所述连续半导体材料层在所述第一部、第二部和至少一个另一个第三部之间在所述没有半导体材料的连续空间上方延伸。

10.一种制造器件的方法，包括：

去除半导体衬底中的块体材料，其中通过块体材料的去除而形成延伸到所述半导体衬底中的半导体结构；

在所述半导体结构的壁上形成保护层，从而使得该半导体结构的第一部分被所述保护层覆盖而该半导体结构的第二部分不被所述保护层覆盖；以及

对所述半导体衬底进行处理，从而使得所述半导体结构的第一部分保留并且该半导体结构的第二部分被去除，其中通过所述处理而形成在所述半导体结构的保留下来的第一部分上方连续延伸的没有半导体材料的空间。

11.根据权利要求10的方法，其中所述半导体结构的第二部分通过半导体材料的迁移而被去除，其中所述第二部分的迁移半导体材料在所述没有半导体材料的空间上方形成半导体层。

12.根据权利要求11的方法，其中所述没有材料的空间上方的所述半导体层形成用于所述半导体结构的保留下来的第一部分的覆盖。

13.根据权利要求10的方法，其中对所述半导体衬底的处理是氢气氛围下的热处理，从而导致所述半导体结构的第二部分的迁移。

14.根据权利要求10的方法，其中对所述半导体衬底的处理导致形成另一个没有材料的空间，其中所述半导体结构的保留下来的第一部分在垂直方向上在所述一个没有材料的空间与所述另一个没有材料的空间之间延伸。

15.一种器件，包括：

块体材料的半导体衬底；

灵活元件，所述灵活元件从所述半导体衬底的块体材料形成；

所述灵活元件上方的包括块体材料的连续层；以及

所述半导体衬底与所述包括块体材料的层之间的连续无材料空间。

16.根据权利要求15的器件，其中所述包括块体材料的层包括通过迁移过程而形成的再结晶块体材料。