[发明专利]用于对非易失性存储器中的数据进行编程的方法和装置有效
申请号: | 201110275243.2 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN102403036A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | U.贝克豪森;T.克恩;J.斯亚森 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 非易失性存储器 中的 数据 进行 编程 方法 装置 | ||
1.一种方法,具有下列步骤:
用第一编程模式将数据编程到非易失性存储器(102)中;
生成控制信号;以及
根据控制信号的出现切换到第二编程模式。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在第二编程模式中的编程与第一编程模式相比具有较短的编程时间和较短的数据保持时间。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中在第二编程模式中的编程与第一编程模式相比利用较小数目的编程脉冲和/或较高的编程电压来进行。
4.根据前述权利要求之一所述的方法,其中在第一编程模式中对存储单元的编程进行检查并且必要时对各个存储单元进行再编程,并且其中在第二编程模式中,编程在不检查和再编程的情况下进行。
5.根据前述权利要求之一所述的方法,其中第一编程模式是如下的编程模式:其中为了将数据值编程到存储单元中,编程脉冲能够被重复一次或多次,并且其中第二编程模式是如下的编程模式:其中为了对数据值进行编程仅仅施加一次编程脉冲。
6.根据前述权利要求之一所述的方法,其中所述非易失性存储器(102)的存储单元具有带有浮动栅的场效应晶体管以用于存储信息。
7.根据权利要求6所述的方法,其中用于将数据值编程到存储单元中的编程过程具有Fowler-Nordheim隧穿。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中所述非易失性存储器(102)是闪存。
9.根据权利要求8所述的方法,其中在出现控制信号时,终止用于擦除存储单元的擦除过程,其中在第二编程模式中,擦除过程不开始。
10.根据前述权利要求之一所述的方法,其中该方法还具有下列步骤:
监控至少一个传感器元件的输出信号;
根据所监控的输出信号来确定是否存在第一状态;以及
基于对存在第一状态的确定来生成控制信号。
11.根据权利要求10所述的方法,其中第一状态显示运输工具的相撞。
12.根据前述权利要求之一所述的方法,其中该方法还具有下列步骤:
生成另外的控制信号;
根据该另外的控制信号的出现切换到第一编程模式;以及
根据该另外的控制信号的出现将在第一编程模式中写入存储单元中的数据标记为无效写入的数据。
13.根据权利要求12所述的方法,其中在第二编程模式中写入存储单元中的数据的数据值在切换到第一编程模式以后被重新编程。
14.根据权利要求12或13之一所述的方法,其中基于控制信号的出现终止用于擦除存储单元的擦除过程,并且其中基于所述另外的控制信号的出现重新执行所中断的用于擦除存储单元的擦除过程。
15.一种装置(100),具有下列特征:
非易失性存储器(102);以及
控制单元(104),其中该控制单元(104)被配置为基于控制信号的出现将非易失性存储器(102)的数据的编程从第一编程模式切换到第二编程模式。
16.根据权利要求15所述的装置(100),其中在第二编程模式中的编程与第一编程模式相比具有较短的编程时间和较短的数据保持时间。
17.根据权利要求15或16所述的装置(100),其中在第二编程模式中的编程与第一编程模式相比利用较小数目的编程脉冲和/或较高的编程电压来进行。
18.根据权利要求15至17之一所述的装置(100),其中装置(100)被设置为在第一编程模式中对存储单元的编程进行检查以及必要时对各个存储单元进行再编程,并且在第二编程模式中在不检查和再编程的情况下执行编程。
19.根据权利要求15至18之一所述的装置(100),其中第一编程模式是如下的编程模式:其中为了将数据值编程到存储单元中,编程脉冲能够被重复一次或多次,并且其中第二编程模式是如下的编程模式:其中为了对数据值进行编程仅仅施加一次编程脉冲。
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