[发明专利]短流程环沟型改良A2/O除磷脱氮处理系统及其处理工艺有效
申请号: | 201110275542.6 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN102358662A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 李鹏峰;郑兴灿;孙永利 | 申请(专利权)人: | 国家城市给水排水工程技术研究中心 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 300074 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 流程 环沟型 改良 sup 磷脱氮 处理 系统 及其 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种短流程环沟型改良A2/O除磷脱氮处理系统及其处理工艺, 属于污水处理技术领域。
背景技术
据统计,“十二五”期间,由于我国城镇污水处理厂排放标准的不断提高,将 有超过3000万立方米/日规模的城镇污水处理厂面临提标改造。其中A2/O处理 工艺作为我国除磷脱氮的主导工艺,其改造任务艰巨。总结我国污水处理厂近 年来升级改造经验,普遍遇到的最大难题是占地面积受限,现有污水处理厂的 建设用地不能满足提标改造的实际需求,严重制约污水处理厂的发展;其次, 由于我国大部分城市的排水管网系统,处于合流(截流)制管道和分流制管道 并存的状态(即混流制系统),造成污水处理厂进水水质水量波动性大,以太湖 流域代表性城市无锡为例,其城市污水处理厂进水水量日变化系数高达1.5,主 要水质指标最大值与平均值的比值均在两倍以上,严重影响污水处理厂的稳定 达标。同时,据2008年对我国城镇污水处理厂进水水质的不完全统计,我国60% 以上的污水处理厂进水碳氮比低于4,进水碳源不足也成为影响污水处理厂稳定 达标的一个重要因素。
因此,土地资源有限(水力停留时间提升空间有限)、进水水质水量波动、 碳源不足已经成为城镇污水处理厂稳定达标的重要影响因素,是目前城镇污水 处理厂新建或升级改造面临的主要难题,亟待解决。
发明内容
本发明目的在于提供一种短流程环沟型改良A2/O除磷脱氮处理系统及其处 理工艺。本工艺在生物系统总停留时间不足8小时的情况下,实现了出水一级A 达标排放,使污水处理厂占地面积减小20%以上,同时相应的减少了动力能耗。
本发明的技术方案:短流程环沟型改良A2/O除磷脱氮处理系统,包括预缺 氧池、厌氧池和双沟道氧化沟;其中双沟道氧化沟包括双沟道氧化沟外沟和双 沟道氧化沟内沟;预缺氧池与厌氧池连接,厌氧池与双沟道氧化沟外沟相连, 双沟道氧化沟内沟位于双沟道氧化沟内部;所述双沟道氧化沟外沟和双沟道氧 化沟内沟底部联通。
所述短流程环沟型改良A2/O除磷脱氮处理系统还包括二沉池,二沉池与双 沟道氧化沟内沟相连,且通过回流污泥泵与缺氧池相接。
所述双沟道氧化沟外沟为通过两个半径相同的弧形沟槽连接两个平行直线 型沟槽而组成。所述双沟道氧化沟外沟设置有曝气区a和非曝气区b,非曝气区 b的容积占双沟道氧化沟外沟容积的70%~90%。所述双沟道氧化沟内沟位于双 沟道氧化沟内部,形状与双沟道氧化沟外沟相同,为曝气区。
所述短流程环沟型改良A2/O除磷脱氮处理系统的处理工艺,其步骤如下:
a、取来自污水厂预处理构筑物的原水中的10%-50%与来自二沉池的回流污 泥混合,进入预缺氧池(1),搅拌并停留0.5小时或0.5小时以内,以去除回流 污泥中的硝酸盐氮;外回流比,即回流污泥量与原水进水流量之比为 100%~200%;
b、步骤a所得混合液与来自污水厂预处理构筑物的剩余原水一同进入厌氧 池,停留1小时或1小时以内,进行厌氧释磷;
c、在厌氧池完成厌氧释磷的混合液,进入双沟道氧化沟外沟,进行同时硝 化反硝化和部分短程硝化反硝化反应,进行生物脱氮,停留时间为4小时或4 小时以内;其中双沟道氧化沟外沟曝气区溶解氧浓度0.5~1.0mg/L,非曝气区溶 解氧浓度0.1~0.3mg/L;
d、步骤c所得混合液进入双沟道氧化沟内沟完成有机物的去除、生物硝化 以及好氧吸磷反应,停留时间为2小时或2小时以内;双沟道氧化沟内沟溶解 氧浓度在3~5mg/L;
e、双沟道氧化沟内沟流出的混合液进入二沉池,进行固液分离,二沉池剩 余污泥按所需比例部分回流至预缺氧池,其余进行污泥处理处置。
所述来自污水厂预处理构筑物的部分原水的具体比例由脱氮除磷要求及进 水的水质确定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家城市给水排水工程技术研究中心,未经国家城市给水排水工程技术研究中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110275542.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- <100>N<SUP>-</SUP>/N<SUP>+</SUP>/P<SUP>+</SUP>网状埋层扩散抛光片
- 零50电力L<SUP>2</SUP>C<SUP>2</SUP>专用接口<SUP></SUP>
- 高保真打印输出L<SUP>*</SUP>a<SUP>*</SUP>b<SUP>*</SUP>图像的方法
- 在硅晶片上制备n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>型或p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>型结构的方法
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>182</sup>Hf/<sup>180</sup>Hf的测定方法
- 五环[5.4.0.0<sup>2</sup>,<sup>6</sup>.0<sup>3</sup>,<sup>10</sup>.0<sup>5</sup>,<sup>9</sup>]十一烷二聚体的合成方法
- 含烟包装袋中Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>离子的含量测定方法
- <base:Sup>68