[发明专利]各向异性导电薄膜生产设备有效
申请号: | 201110275705.0 | 申请日: | 2011-09-17 |
公开(公告)号: | CN102436874A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 王宇 | 申请(专利权)人: | 山西金开源实业有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030008 山西省太原*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 各向异性 导电 薄膜 生产 设备 | ||
1.一种各向异性导电薄膜生产设备,其特征在于包括作为磁轭的机架(1),固定于机架上的上、下磁极(2),上、下磁极至少有一个是相对机架可上下活动的,上、下磁极上缠绕有励磁线圈(3),上、下磁极之间压固有各向异性导电薄膜的成型模具(4),所述成型模具由上模和下模构成;该生产设备还包括励磁线圈的供电装置(8),所述的供电装置包括可控硅构成的整流电路,用于控制可控硅导通角的计算机控制器,其中计算机控制器的信号输入端连接有置于两磁极间的磁场强度传感器(6)和连接于励磁线圈供电回路中的电流传感器(7);计算机控制器在相应软件支持下,按照设定的电流函数I=I(t)对可控硅整流电路的输出电流实现连续控制;所述电流函数I=I(t)的具体表达式为:
其中: I0=励磁饱和电流;
Im=为大于励磁饱和电流值的设定电流值;
B(t)=为磁场强度传感器采集的并传输给计算机控制器的实时磁场强度;
B0=饱和磁场强度;
T1为磁场上升时间段,即磁场从0上升至最大值的时间段;
T2为磁场维持时间段,即磁场最大值的保持时间段;
T3为磁场下降时间段,即磁场从最大值下降至零的时间段;
其中设定电流Im是采用如下方法确定的:任意给定一个设定电流值,计算机控制器在相应软件支持下,按照设定的电流函数I=I(t)对可控硅整流电路的输出电流实现连续控制,在示波器上观察此时励磁线圈所建磁场的波形,当磁场波形中磁场上升时间段T1小于等于3秒时,此时对应的设定电流值就是选定值;该设备还包括各向异性导电薄膜的固化装置。
2.如权利要求1所述的各向异性导电薄膜生产设备,其特征在于所述各向异性导电薄膜的固化装置包括有贴在成型模具(4)上下模相对面上的电热膜(9)、与电热膜相连接的热电偶(10)和向电热膜供电的温控电源(11);所述温控电源(11)包含有计算机控制系统;所述热电偶(10)的信号输出端与温控电源计算机控制系统的信号输入端相连接。
3.如权利要求1或2所述的各向异性导电薄膜生产设备,其特征在于机架(1)顶部开有卡槽,上磁极的上部限制在卡槽内;在卡槽上部设有与机架固定的支撑板(12),支撑板(12)上开有螺孔并在螺孔内设有螺杆(13),螺杆的上端设有手轮(14),螺杆(13)的下端与上磁极固定。
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