[发明专利]一种电子设备及其电路的电源装置有效
申请号: | 201110275935.7 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN103000739A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;刘京京 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子设备 及其 电路 电源 装置 | ||
【技术领域】
本发明涉及电子设备领域,特别涉及一种电子设备及其电路的电源装置。
【背景技术】
随着半导体工艺的高度发展,片上系统已经从设想变为可能,用户对片上系统的要求也越来越高。
以“片上实验室”为例,一个完整的电子系统被集成到一块芯片上,会对芯片的体积提出较高的要求,因而器件的小型化发展是未来半导体产品的发展趋势。
在具体实施过程中,电子系统的工作离不开电源,电源的来源会是多种多样,比如电能、电磁波、动能、热能、压力、声音等。
但是现有技术中,无论何种能源的电源都没有与电路系统集成到一块芯片上。这意味着如果不能解决片上电源问题,未来电子器件无论小型化到何种程度,都会需要一个体型相对庞大的外接电源或是电池才能工作。
如何将电源与电路系统进行有效的集成,使两者在同一芯片上运行,减小体积,提高空间利用率,是电子设备领域研究的方向之一。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题是提供一种电子设备及其电路的电源装置,以将电源与电路进行有效的集成,使两者在同一芯片上运行,减小体积,提高空间利用率。
本发明为解决技术问题而采用的技术方案是提供一种电路的电源装置,所述电路的电源装置包括基片,设置于所述基片上的PN结和电路,其中,
所述PN结,用于吸收周围环境的电磁波,并将吸收到的电磁波转换为电流,将所述电流输入到所述电路;
所述电路,用于接收所述PN结输入的电流,将接收到的电流作为所述电路的电源使用。
根据本发明一优选实施例,所述电路采用半导体材料。
根据本发明一优选实施例,所述半导体材料为元素半导体,无机化合物半导体,有机化合物半导体或者非晶态与液态半导体。
根据本发明一优选实施例,所述的PN结为单个PN结、复合PN结、多个PN结串联、多个PN结并联或者多个PN结混联。
根据本发明一优选实施例,所述电磁波包括光能、X射线以及辐射。
本发明为解决技术问题而采用的技术方案是提供一种电子设备,所述电子设备包括一电路的电源装置,所述电路的电源装置包括基片,设置于所述基片上的PN结和电路,其中,
所述PN结,用于吸收周围环境的电磁波,并将吸收到的电磁波转换为电流,将所述电流输入到所述电路;
所述电路,用于接收所述PN结输入的电流,将接收到的电流作为所述电路的电源使用。
根据本发明一优选实施例,所述电路采用半导体材料。
根据本发明一优选实施例,所述半导体材料为元素半导体,无机化合物半导体,有机化合物半导体或者非晶态与液态半导体。
根据本发明一优选实施例,所述的PN结为单个PN结、复合PN结、多个PN结串联、多个PN结并联或者多个PN结混联。
根据本发明一优选实施例,所述电磁波包括光能、X射线以及辐射。
通过以上实施例,本发明有效的将电源与电路系统进行集成,使两者能够在同一芯片上运行,减小了电路的空间体积,极大的提高了电路系统空间利用率。
【附图说明】
图1是本发明实施例提供的电路的电源装置的结构示意图;
图2A-D是本发明实施例提供的在P基片中一个PN结的结构示意图;
图3A-D是本发明实施例提供的在P基片中两个或两个以上PN结的结构示意图;
图4A-D是本发明实施例提供的在N基片中产生PN结的结构示意图;
图5是对应本发明实施例图3A所提供的PN结的测量结果示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。
图1示出了本发明实施例提供的电路的电源装置的结构,包括基片(substrate)11,设置于基片11上的PN结12和电路13。
其中,PN结12吸收周围环境的电磁波,并将吸收到的电磁波转换为电流,再将电流输入到电路13;
电路13接收PN结12输入的电流,将接收到的电流作为电路13的电源使用。
优选的,电磁波包括光能、X射线以及其它可用的多种辐射,光能可为太阳光等。当然本发明实施例提供的电磁波还包括其他形式的电磁波,此处不一一列举。
优选的,电路13采用半导体材料。在本发明实施例中,半导体材料为元素半导体,无机化合物半导体,有机化合物半导体或者非晶态与液态半导体,当然也可以是其他的半导体材料,此处不一一列举。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启高等理工研究院,未经深圳光启高等理工研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110275935.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高导热纳米复合塑胶
- 下一篇:获取三维形变基的方法及通信终端
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的