[发明专利]多栅器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110276274.X | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103000505A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 形成 方法 | ||
1.一种多栅器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括氧化层和形成在所述氧化层表面的半导体薄膜；形成位于所述半导体薄膜表面的图案层，所述图案层具有第一开口；
形成位于所述第一开口的侧壁的侧墙；
去除所述图案层；
在去除所述图案层后，刻蚀所述半导体薄膜、形成与所述侧墙相对应的牺牲层；
形成位于所述牺牲层的两侧的鳍部。
2.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述半导体薄膜的材料为SiGe或SiC。
3.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述鳍部的材料为Si。
4.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述鳍部的特征尺寸为1-8nm。
5.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述鳍部的形成工艺为选择性外延生长工艺。
6.如权利要求5所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述选择性外延生长工艺的参数为：压力0.1-0.3Torr，温度1500-1800℃，流量为150-300sccm的SiH2Cl2，流量为20-50sccm的HCl，流量为10-20SLM的H2。
7.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的宽度为4-20nm。
8.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述图案层的材料为SiON。
9.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述图案层的形成工艺为等离子体沉积工艺。
10.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为SiN或多晶硅。
11.如权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述半导体薄膜表面的硬掩膜层，所述图案层形成在所述硬掩膜层表面。
12.如权利要求11所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氧化硅。
13.如权利要求12所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的形成工艺为热氧化工艺或化学气相沉积工艺。
14.如权利要求11所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述鳍部形成后，去除所述硬掩膜层和牺牲层。
15.如权利要求14所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层采用的工艺为刻蚀工艺，所述刻蚀工艺的参数为：温度600-800℃，压力为1个大气压，流量为150-300sccm的HCl，流量为15-30SLM的H2。
16.如权利要求14所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，还包括：对所述鳍部进行氧化工艺和退火工艺。
17.如权利要求16所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述氧化工艺的参数范围为：在温度为600℃-800℃的环境下，通入O2，氧化时间为2-4min。
18.如权利要求16所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的参数范围为：在温度为600℃-800℃的环境下，通入N2，退火时间为2-4min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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