[发明专利]基于深度塑性变形工艺的聚变堆面向等离子体钨基材料无效
| 申请号： | 201110276280.5 | 申请日： | 2011-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102337487A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 罗广南;刘凤;李强;周海山;王万景;刘伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C22F1/18 | 分类号： | C22F1/18 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 深度 塑性变形 工艺 聚变 面向 等离子体 基材 | ||
1.基于深度塑性变形工艺的聚变堆钨基面向等离子体材料，其特征在于：将深度塑性变形工艺用于制备聚变堆钨基面向等离子体材料，利用等通道角挤压法或者高压扭转法对粗晶钨进行处理，制备得超细晶/纳米晶钨。
2.根据权利要求1所述的基于深度塑性变形工艺的聚变堆钨基面向等离子体材料，其特征在于：所述的粗晶钨为商业购买钨；所述粗晶钨里的掺杂物可选用钽、铼、钾、稀土氧化物、碳化物中的一种，掺杂物的含量＜5％，且在钨基体中尽量均匀分布。
3.根据权利要求1所述的基于深度塑性变形工艺的聚变堆钨基面向等离子体材料，其特征在于：所述的深度塑性变形工艺选自等通道角挤压法(ECAP)、高压扭转法(HPT)中的一种。
ECAP的工艺参数为：通道转角的大小(约90°-135°)、样品的加热温度(600℃-1300℃)、样品的处理道数和处理方式等可在一定范围内进行调配；工艺参数应保证材料在制备过程中不会脆性开裂。ECAP具体过程为：将预处理样品用不锈钢罐密封，然后置于等通道角挤压处理通道中；在适当的工艺参数条件下进行处理；处理结束后，为了进一步细化晶粒，通常需在600℃-800℃温度区间进行轧制处理；根据聚变堆不同部位对面向等离子体材料的不同需求，加工各种形状、不同尺寸的钨材料部件。
HPT的工艺参数：施加于样品的压力、样品的加热温度(约500℃)、扭转次数等可根据样品的尺寸、高压扭转设备具体情况进行调配。
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