[发明专利]一种三级掺杂水平的选择性发射极及其制备方法有效
申请号: | 201110276579.0 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN102306684A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 刘锋 | 申请(专利权)人: | 刘锋 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200240 上海市闵行区东川路*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三级 掺杂 水平 选择性 发射极 及其 制备 方法 | ||
1.将掺杂油墨按照特定图案印刷到硅片上,然后对硅片进行一系列热处理,其特征在于:通过上述操作,可在硅片上获得具有重度、中度和轻度三级掺杂水平的选择性发射极。
2.根据权利1所述的特定印刷图案,其主要特征在于:图案中的主线是由图形阵列构成,其形状可以是矩形、圆形、多边形、线条等,这些图形相对均匀地分布在主线区域内,其面积之和可占主线区域总面积的10%~60%。
3.根据权利1所述的热处理,其主要特征在于:包括中低温热处理和高温扩散两个过程。
4.根据权利3所述的中低温热处理过程,其主要特征在于:加热温度为:100℃~400℃。
5.根据权利3所述的高温扩散过程,其主要特征在于:整个扩散过程硅片始终处于扩散炉内,炉温:800℃~950℃,处理时间:20分钟~120分钟。
6.根据权利要求1所述的三级掺杂水平的选择性发射极,其主要特征在于:热处理完成后,硅片上覆盖油墨的副线区域和覆盖油墨的主线图形阵列区域获得重度掺杂,其方块电阻值为:20Ω/□~50Ω/□;无油墨的非电极区域获得轻度掺杂,其方块电阻值为:60Ω/□~180Ω/□;无油墨的主线空白区域获得中度掺杂,其方块电阻值介于上述重度掺杂区域和轻度掺杂区域之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的