[发明专利]一种三级掺杂水平的选择性发射极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110276579.0 申请日: 2011-09-19
公开(公告)号: CN102306684A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 刘锋 申请(专利权)人: 刘锋
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200240 上海市闵行区东川路*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 三级 掺杂 水平 选择性 发射极 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.将掺杂油墨按照特定图案印刷到硅片上,然后对硅片进行一系列热处理,其特征在于:通过上述操作,可在硅片上获得具有重度、中度和轻度三级掺杂水平的选择性发射极。

2.根据权利1所述的特定印刷图案,其主要特征在于:图案中的主线是由图形阵列构成,其形状可以是矩形、圆形、多边形、线条等,这些图形相对均匀地分布在主线区域内,其面积之和可占主线区域总面积的10%~60%。

3.根据权利1所述的热处理,其主要特征在于:包括中低温热处理和高温扩散两个过程。

4.根据权利3所述的中低温热处理过程,其主要特征在于:加热温度为:100℃~400℃。

5.根据权利3所述的高温扩散过程,其主要特征在于:整个扩散过程硅片始终处于扩散炉内,炉温:800℃~950℃,处理时间:20分钟~120分钟。

6.根据权利要求1所述的三级掺杂水平的选择性发射极,其主要特征在于:热处理完成后,硅片上覆盖油墨的副线区域和覆盖油墨的主线图形阵列区域获得重度掺杂,其方块电阻值为:20Ω/□~50Ω/□;无油墨的非电极区域获得轻度掺杂,其方块电阻值为:60Ω/□~180Ω/□;无油墨的主线空白区域获得中度掺杂,其方块电阻值介于上述重度掺杂区域和轻度掺杂区域之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘锋,未经刘锋许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110276579.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top