[发明专利]高硅菱镁矿合成MgAl２O４/MgO-SiC-C质耐火材料及制备方法

权利要求书

1.一种高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料的制备方法，其特征在于先以50～60wt％的高硅菱镁矿、5～15wt％的碳黑粉和30～40wt％的矾土料为原料混合，再外加所述原料1～10wt％的结合剂，混合5～60分钟，压制成型，在60～110℃的条件下干燥12～36小时；然后在保护性气氛和1500～1800℃×2～8小时的条件下烧结，自然冷却。

2.根据权利要求1所述的高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料的制备方法，其特征在于所述的高硅菱镁矿的MgO含量≥40wt％，SiO₂含量≥10wt％；高硅菱镁矿的平均粒径小于0.1mm。

3.根据权利要求1所述的高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料的制备方法，其特征在于所述的碳黑的C含量≥90wt％，粒径小于0.1mm。

4.根据权利要求1所述的高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料的制备方法，其特征在于所述的矾土料的Al₂O₃含量≥60wt％，粒径小于0.1mm。

5.根据权利要求1所述的高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料的制备方法，其特征在于所述的结合剂为木质素磺酸钙、木质素磺酸钠、亚硫酸纸浆废液、工业糊精粉、聚乙烯醇、酚醛树脂中的一种。

6.根据权利要求1所述的高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料的制备方法，其特征在于所述的保护性气氛为氩气气氛或氮气气氛。

7.根据权利要求1～6项中任一项所述的高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料的制备方法所制备的高硅菱镁矿合成MgAl₂O₄/MgO-SiC-C质耐火材料。