[发明专利]高功率半导体薄片激光器列阵无效
申请号: | 201110278192.9 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN102324692A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 戴特力;张鹏;梁一平;范嗣强 | 申请(专利权)人: | 重庆师范大学 |
主分类号: | H01S5/04 | 分类号: | H01S5/04;H01S5/34;H01S5/125 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 谢殿武 |
地址: | 400047 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 薄片 激光器 列阵 | ||
1.一种高功率半导体薄片激光器列阵,其特征在于:包括泵浦光源系统、半导体增益薄片和微腔镜阵列,半导体增益薄片和微腔镜阵列组成谐振腔,所述泵浦光源系统包括半导体激光阵列和整形组件,所述半导体激光阵列经整形组件整形后形成泵浦光束阵列,所述泵浦光束阵列入射至半导体增益薄片,所述微腔镜阵列用于将激光列阵输出。
2.根据权利要求1所述的高功率半导体薄片激光器列阵,其特征在于:所述半导体增益薄片由上到下包括散热窗口层、多量子阱有源层和分布布喇格反射层。
3.根据权利要求2所述的高功率半导体薄片激光器列阵,其特征在于:所述微腔镜阵列为微柱腔镜阵列。
4.根据权利要求3所述的高功率半导体薄片激光器列阵,其特征在于:所述微柱腔镜阵列和半导体激光阵列均为线阵。
5.根据权利要求4所述的高功率半导体薄片激光器列阵,其特征在于:所述多量子阱有源层和分布布喇格反射层均在基质层上生长而成,所述基质层经过刻蚀加工,基质厚度为0微米-100微米。
6.根据权利要求5所述的高功率半导体薄片激光器列阵,其特征在于:所述基质层位于一热沉上,当基质层厚度为零时,分布布喇格反射层位于热沉。
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