[发明专利]高功率半导体薄片激光器列阵

权利要求书

1.一种高功率半导体薄片激光器列阵，其特征在于：包括泵浦光源系统、半导体增益薄片和微腔镜阵列，半导体增益薄片和微腔镜阵列组成谐振腔，所述泵浦光源系统包括半导体激光阵列和整形组件，所述半导体激光阵列经整形组件整形后形成泵浦光束阵列，所述泵浦光束阵列入射至半导体增益薄片，所述微腔镜阵列用于将激光列阵输出。

2.根据权利要求1所述的高功率半导体薄片激光器列阵，其特征在于：所述半导体增益薄片由上到下包括散热窗口层、多量子阱有源层和分布布喇格反射层。

3.根据权利要求2所述的高功率半导体薄片激光器列阵，其特征在于：所述微腔镜阵列为微柱腔镜阵列。

4.根据权利要求3所述的高功率半导体薄片激光器列阵，其特征在于：所述微柱腔镜阵列和半导体激光阵列均为线阵。

5.根据权利要求4所述的高功率半导体薄片激光器列阵，其特征在于：所述多量子阱有源层和分布布喇格反射层均在基质层上生长而成，所述基质层经过刻蚀加工，基质厚度为0微米-100微米。

6.根据权利要求5所述的高功率半导体薄片激光器列阵，其特征在于：所述基质层位于一热沉上，当基质层厚度为零时，分布布喇格反射层位于热沉。