[发明专利]微光纤布拉格光栅及其制备方法

权利要求书

1.一种微光纤布拉格光栅，其特征在于，它为在二氧化硅微光纤（2）表面加工的周期性光栅阵列结构（3），其中，所述二氧化硅微光纤（2）的直径约为1-2微米，布拉格光栅（3）的周期长度为572nm-660nm范围，槽深为50-200nm，周期数为800-1000左右。

2.一种权利要求1所述微光纤布拉格光栅的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

（1）将普通单模光纤通过火焰加热固定区域拉伸的方法制备1-2微米直径的微光纤，制备好的微光纤通过三维微调架操作放置在硅片上，微光纤两端与普通单模光纤相连，两端的普通单模光纤固定在样品台上；

（2）制备过程中，将放有微光纤的样品台固定在聚焦离子束加工系统的样品座上进入腔室；通过聚焦离子束加工系统对微光纤表面加工布拉格光栅结构，布拉格光栅的周期长度设计在572nm-660nm范围，槽深在50-200nm，周期数在800-1000即可达到较高的反射率和较好地实现布拉格光栅波长选择效应；

（3）加工制备完成微光纤布拉格光栅结构后，将基底硅片卸下，并且将微光纤布拉格光栅结构悬空，进行测量和表征，封装后即得微光纤布拉格光栅。