[发明专利]氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片。 

背景技术

衰减片是把大电压信号根据实际要求衰减到一定的比例倍数(一般指功率衰减)，达到安全或理想的电平值，方便测试工作，尤其在射频和微波中运用广泛目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，对设备没有保护作用。衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，对设备有保护作用。衰减片是一种能量消耗元件，功率消耗后变成热量。可以想象，材料结构确定后，衰减器的功率容量就确定了，如果让衰减器承受的功率超过设计的极限值，衰减器就会被烧毁，所以材料的选择和线路结构的设计，以及尺寸的大小，生产工艺对功率的影响很大，市场对环保和尺寸小型化的要求越来越高，之前的使用的氧化铍作为基板材料，不符合环保的要求. 

目前国内少有能生产30dB氮化铝基板衰减片的企业，有的话也是在100W以上，100W以上氮化铝30dB衰减片的几乎没有生产。国内使用多为进口。我司已经攻克了150W-30dB衰减片的生产。但是随着科技的不断发展，目前已经市场对衰减片的功率提出了更高的要求。 

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种尺寸为9.55*9.55*1mm，阻抗满足50±1.5Ω，驻拨和衰减精度能满足市场要求的200W-30dB衰减片。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案： 

一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片，其包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，本产品基于先进的厚膜工艺生产。 

优选的，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。 

优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。 

上述技术方案具有如下有益效果：该大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片填补了国内不能生产200W-30dB氮化铝陶瓷衰减片的空白，其驻波和衰减特性都满足了市场的需求，同时这种设计尽可能增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险。 

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。 

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图. 

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。 

如图1所示，该大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板1的正面印刷有导线2及电阻R1、R2、R3，电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路的输入端与一焊盘5连接，输出端与一焊盘6连接。电阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及电阻R1、R2、R3形成保护。所有工序都基于先进的厚膜工艺生产。 

该大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1.5Ω。信号输入端进入衰减片，经过电阻R1、R3、R2对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 

该大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片以9.55*9.55*1MM的氮化铝基板作为基板，该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险。通过线路的优化设计，改善了衰减片的性能，通过控制表面电阻率精确控制每个电阻的阻值，得到需要的衰减值，填补了国内不能生产200W-30dB氮化铝基板衰减片的空白。 

以上对本发明实施例所提供的大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任 何改变都在本发明的保护范围之内。