[发明专利]一种薄膜、图案层及其制造方法无效
| 申请号： | 201110280028.1 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102290336A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郑文达 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/768;H01L23/50 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦;丁建春 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 图案 及其 制造 方法 | ||
1.一种图案层的制造方法，其特征在于，所述图案层的制造方法包括：
在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化，以在所述基板上形成膜质随镀膜厚度变化的薄膜；
对所述薄膜进行蚀刻，使得所述薄膜的侧向蚀刻速率随所述膜质变化，进而形成具有预定曲率的侧面的图案层。
2.根据权利要求1所述的图案层的制造方法，其特征在于，所述薄膜的晶粒尺寸随所述镀膜厚度在远离所述基板的方向上逐渐变小。
3.根据权利要求1所述的图案层的制造方法，其特征在于，所述镀膜参数包括所述基板的温度、所述基板周围的气体压力、溅镀功率或所述基板与靶材间的偏压。
4.根据权利要求1所述的图案层的制造方法，其特征在于，在所述基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制所述基板的温度随时间逐渐降低。
5.根据权利要求1所述的图案层的制造方法，其特征在于，在所述在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制溅镀功率随时间逐渐降低。
6.根据权利要求1所述的图案层的制造方法，其特征在于，在所述在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制所述基板与靶材间的偏压随时间逐渐降低。
7.根据权利要求1所述的图案层的制造方法，其特征在于，在所述在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制所述基板周围的气体压力随时间逐渐升高。
8.根据权利要求1所述的图案层的制造方法，其特征在于，所述预定曲率的范围为30度～40度。
9.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜形成于一基板上，且所述薄膜的晶粒尺寸随镀膜厚度在远离所述基板的方向上逐渐变小。
10.一种图案层，其特征在于，所述图案层形成于一基板上，且所述图案层的晶粒尺寸随镀膜厚度在远离所述基板的方向上逐渐变小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
