[发明专利]一种盖板、装载装置及等离子体加工设备无效
| 申请号： | 201110280207.5 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103021922A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王文彦 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 盖板 装载 装置 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种盖板，包括盖板本体，在所述盖板本体上设有贯穿其厚度方向的通孔，其特征在于，所述通孔的孔径由上至下逐渐缩小，所述盖板本体位于所述通孔周边的部分在厚度方向呈阶梯状，且越靠近所述通孔的底部其厚度越薄。
2.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，所述盖板本体为一整体结构。
3.根据权利要求2所述的盖板，其特征在于，所述盖板本体位于所述通孔周边的部分包括n个台阶，其中n大于或等于2。
4.根据权利要求3所述的盖板，其特征在于，距离所述通孔底部最近的第一台阶在所述通孔径向方向的长度为5～10mm。
5.根据权利要求3所述的盖板，其特征在于，所述盖板本体采用石英材料制作，距离所述通孔底部最近的第一台阶的厚度为2～3mm。
6.根据权利要求3所述的盖板，其特征在于，距离所述通孔底部最近的第一台阶的侧面设有5～10°的倒角。
7.根据权利要求6所述的盖板，其特征在于，其它台阶的侧面设有倒角。
8.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，所述盖板本体包括n个子盖板本体，其中n大于或等于2，所述n个子盖板本体叠置在一起，所述n个子盖板本体上的通孔的孔径由下至上逐渐增大。
9.根据权利要求8所述的盖板，其特征在于，通孔孔径最小的第一子盖板本体上的通孔孔径比相邻的子盖板本体上的通孔孔径小10～20mm。
10.根据权利要求9所述的盖板，其特征在于，所述n个子盖板本体采用石英材料制成，且通孔孔径最小的第一子盖板本体的厚度为2～3mm。
11.根据权利要求9所述的盖板，其特征在于，通孔孔径最小的第一子盖板本体采用硬质材料制成，其厚度为1～2mm；其它子盖板本体采用石英材料制成，其厚度为3～5mm。
12.根据权利要求9所述的盖板，其特征在于，在通孔孔径最小的第一子盖板本体上的通孔周边设有5～10°的倒角。
13.根据权利要求12所述的盖板，其特征在于，其它子盖板本体上的通孔周边设有倒角。
14.根据权利要求11所述的盖板，其特征在于，直接暴露在工艺气体中的第一子盖板本体部分的表面涂覆具有抗刻蚀性能的材料。
15.一种装载装置，包括盖板以及托盘，所述盖板与所述托盘相互配合来固定被加工工件，其特征在于，所述盖板采用权利要求1-14任意一项所述的盖板。
16.根据权利要求15所述的装载装置，其特征在于，所述盖板与所述托盘以可拆卸的方式连接。
17.一种等离子体加工设备，包括反应腔室以及用于向反应腔室内传输被加工工件的装载装置，其特征在于，所述装载装置采用权利要求15-16任意一项所述的装载装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
