[发明专利]毫米波滤波器及用于形成毫米波滤波器的基底结构

权利要求书

1.一种用于形成毫米波滤波器的基底结构，包括：

导电基底，由半导体材料所构成，具有第一表面与第二表面；

底部高阻抗层，设置于该导电基底的第一表面上；以及

外部高阻抗层，设置于该导电基底的第一表面上，且环绕该底部高阻抗层。

2.根据权利要求1所述的用于形成毫米波滤波器的基底结构，其特征在于，该导电基底是由硅、硅氧化物、氮化物或聚酰亚胺材料所构成。

3.根据权利要求1所述的用于形成毫米波滤波器的基底结构，其特征在于，该基地结构还包括设置于该底部高阻抗层上的毫米波滤波器。

4.根据权利要求3所述的用于形成毫米波滤波器的基底结构，其特征在于，该毫米波滤波器包括：

两个曲折发夹形谐振器，以开口相对的方式设置，其中，各该曲折发夹形谐振器皆分别由传输线所形成，该传输线包含一主要传输线段及两个侧边传输线段，该两个侧边传输线段分别自该主要传输线段的两端点往同一方向延伸，且该两个侧边传输线段分别形成至少一曲折区域，使该两个侧边传输线段间于该曲折区域的距离缩窄至第一间距，而该第一间距小于该主要传输线段的长度；

两个步阶阻抗发夹形谐振器，各该步阶阻抗发夹形谐振器分别设置在该两个曲折发夹形谐振器的开口，且分别与相应的该侧边传输线段耦合；

第一馈入点，设置于其中一个该曲折发夹形谐振器的该主要传输线段的一个端点上；以及

第二馈入点，设置于另一个该曲折发夹形谐振器的该主要传输线段远离对应该第一馈入点的一个端点上。

5.根据权利要求1所述的用于形成毫米波滤波器的基底结构，其特征在于，该底部高阻抗层是由多层金属材料和多层绝缘材料堆栈而成。

6.根据权利要求5所述的用于形成毫米波滤波器的基底结构，其特征在于，该绝缘材料是硅氧化物，氮化物或聚酰亚胺。

7.一种制造用于形成毫米波滤波器的基底结构的方法，包括：

形成由半导体材料所构成的导电基底，其中，该导电基底具有第一表面与第二表面；

于该导电基底的第一表面上设置底部高阻抗层；以及

于该导电基底的该第一表面上设置外部高阻抗层，其中，该外部高阻抗层环绕该底部高阻抗层。

8.根据权利要求7所述的制造用于形成毫米波滤波器的基底结构的方法，其特征在于，该方法还包括于该底部高阻抗层上设置毫米波滤波器。

9.根据权利要求7所述的制造用于形成毫米波滤波器的基底结构的方法，其特征在于，该导电基底是由硅、硅氧化物，氮化物或聚酰亚胺材料所构成。

10.根据权利要求7所述的制造用于形成毫米波滤波器的基底结构的方法，其特征在于，该底部高阻抗层是由多层金属材料与多层绝缘材料互相交替堆栈所构成。

11.根据权利要求10所述的制造用于形成毫米波滤波器的基底结构的方法，其特征在于，该绝缘材料是硅氧化物，氮化物或聚酰亚胺。

12.一种毫米波滤波器，包括：

两个曲折发夹形谐振器，以开口相对的方式设置，其中，各该曲折发夹形谐振器皆分别由传输线所形成，该传输线包含一主要传输线段及两个侧边传输线段，该两个侧边传输线段分别自该主要传输线段的两端点往同一方向延伸，且该两个侧边传输线段分别形成至少一曲折区域，使该两个侧边传输线段间于该曲折区域的距离缩窄至第一间距，而该第一间距小于该主要传输线段的长度；

两个步阶阻抗发夹形谐振器，各该步阶阻抗发夹形谐振器分别设置在该两个曲折发夹形谐振器的开口，且分别与相应的曲折发夹形谐振器的该侧边传输线段耦合；

第一馈入点，设置于其中一个该曲折发夹形谐振器的该主要传输线段的一个端点上；以及

第二馈入点，设置于另一个该曲折发夹形谐振器的该主要传输线段远离对应该第一馈入点的一个端点上。