[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管结构，其具有P+集电区、N体区、沟槽、沟道区、P体区、N+发射区和发射极；所述N体区位于P+集电区上方，所述沟道区紧靠N+发射区下部边界位于P体区和沟槽之间，所述N+发射区紧靠P体区上部边界与沟槽和发射极相连，其特征在于：所述沟道区具有非均匀分布的N型杂质，其浓度自沟槽侧壁向远离沟槽侧壁方向逐渐降低。

2.一种绝缘栅双极晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在器件的N体区注入P型杂质，通过高温推进形成满足抗闩锁能力的P体区；

(2)淀积硬掩模版，涂胶，曝光沟槽区域，将沟槽区域的硬掩模版刻开，利用硬掩模版制作沟槽；

(3)进行带角度的N型杂质注入，将N型杂质注入到沟槽侧壁中；

(4)对沟槽区域栅氧化，并利用此热过程完成对N型杂质的激活和推进，实现对沟道区净掺杂浓度的调节，满足阈值要求；

(5)在沟槽中填充栅电极材料，形成栅电极；重掺杂注入N型杂子形成N+发射区，引出发射极以及集电极。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：实施步骤(3)时，N型杂质注入的剂量范围与P型杂质注入和推进的过程相匹配，其面密度范围为5E11/cm²至1E13/cm²。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：实施步骤(3)时，N型杂质的注入能量范围为15KeV至100KeV。

5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：实施步骤(3)时，N型杂质的注入角度为7°至30°，采用多次旋转注入。

6.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：实施步骤(3)时，N型杂质注入根据沟槽形成方法确定，能采用带硬掩模版注入、带胶注入或将所有掩模版去掉后注入。